V130LS20CP 时间：2025/12/26 23:32:55 阅读：5

V130LS20CP是一款由Vishay Semiconductors生产的N沟道TrenchFET?功率MOSFET，采用先进的沟槽技术制造，旨在提供极低的导通电阻（RDS(on)）和高效率的开关性能。该器件封装在紧凑的PowerPAK? SO-8L封装中，具备优良的热性能和电流处理能力，适用于空间受限但对功率密度要求较高的应用场合。V130LS20CP广泛用于电源管理、DC-DC转换器、同步整流、电机驱动以及负载开关等电路设计中。
　　该MOSFET的设计优化了栅极电荷和开关损耗，在高频工作条件下仍能保持高效运行。其额定电压为20V，最大连续漏极电流可达130A，适合大电流应用场景。此外，该器件符合RoHS环保标准，并具有无铅（Pb-free）和符合IPC/JEDEC J-STD-020回流焊温度曲线的特性，适用于自动化表面贴装工艺。由于其高性能与小尺寸封装的结合，V130LS20CP成为便携式电子产品、服务器电源模块及通信设备中理想的功率开关元件。

参数

型号：V130LS20CP
　　通道类型：N沟道
　　漏源电压(VDS)：20 V
　　栅源电压(VGS)：±12 V
　　连续漏极电流(ID) @ 25°C：130 A
　　脉冲漏极电流(IDM)：260 A
　　导通电阻(RDS(on)) @ VGS = 10V：0.75 mΩ
　　导通电阻(RDS(on)) @ VGS = 4.5V：1.1 mΩ
　　导通电阻(RDS(on)) @ VGS = 2.5V：1.8 mΩ
　　栅极电荷(Qg) @ 10V：45 nC
　　输入电容(Ciss)：3400 pF
　　反向恢复时间(trr)：18 ns
　　工作结温范围：-55 ~ +150 °C
　　封装/外壳：PowerPAK SO-8L

特性

V130LS20CP采用了Vishay专有的TrenchFET?技术，这种先进的沟槽型MOSFET结构显著降低了单位面积下的导通电阻，从而提升了整体效率并减少了功率损耗。其超低的RDS(on)值在同类产品中处于领先水平，特别是在低栅极驱动电压下（如4.5V或2.5V）仍能维持较低的导通阻抗，这使得它非常适合用于由电池供电或使用逻辑电平信号直接驱动的应用场景。例如在同步降压变换器中，低RDS(on)可以有效减少传导损耗，提高转换效率。
　　该器件具有优异的热性能，得益于PowerPAK SO-8L封装底部的大面积裸露焊盘设计，能够通过PCB高效散热，确保在高负载条件下稳定运行。同时，该封装尺寸仅为3.3mm x 3.3mm，极大节省了PCB空间，满足现代电子设备小型化趋势的需求。此外，V130LS20CP的栅极阈值电压较低且一致性好，有助于实现快速开关动作，降低开关延迟和上升/下降时间，从而减少动态损耗。
　　在可靠性方面，V130LS20CP经过严格的质量控制流程，具备高抗雪崩能力和良好的长期稳定性。其内部结构设计还优化了寄生参数，减小了米勒电容效应，抑制了开关过程中的振荡现象。这些特性共同保证了器件在高频开关电源、多相VRM（电压调节模块）以及大电流负载开关等严苛应用中的可靠性和耐用性。

应用

V130LS20CP主要应用于需要高电流密度和高效率的电源系统中。典型用途包括同步整流型DC-DC降压转换器，尤其是在笔记本电脑、图形处理器（GPU）、中央处理器（CPU）供电的多相电压调节模块（VRM）中，作为下管或上管使用。其低导通电阻和快速开关特性有助于提升整体电源转换效率，并降低温升。
　　在便携式消费类电子产品如智能手机、平板电脑和移动电源中，该器件可用于电池充电管理电路或负载开关，以实现高效的能量传输和精确的电源控制。此外，在服务器和通信设备的板级电源系统中，V130LS20CP也常被用于POL（Point-of-Load）电源解决方案，支持高频率操作以缩小外围元件体积。
　　其他应用还包括电机驱动电路、热插拔控制器、LED驱动电源以及各类大电流开关应用。由于其具备出色的瞬态响应能力和良好的热稳定性，即使在环境温度较高或持续大电流工作的条件下也能保持稳定性能。因此，该器件是现代高性能、高集成度电源设计中的关键组件之一。