时间：2025/6/27 2:17:38
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V105M0201X6S6R3NXT是一款高性能的功率MOSFET芯片，采用先进的制造工艺和封装技术。该型号主要应用于高效率电源转换、电机驱动、逆变器以及其他需要高频开关和低导通损耗的场景。其设计旨在提供卓越的电气性能，同时确保在严苛工作条件下的稳定性和可靠性。
额定电压：105V
额定电流：20A
导通电阻：6mΩ
栅极电荷：30nC
最大功耗：15W
工作温度范围：-55℃至175℃
封装类型：TO-247
V105M0201X6S6R3NXT具有低导通电阻，有助于减少导通损耗并提高整体系统效率。此外，该器件还具备快速开关速度和较低的栅极电荷，从而降低了开关损耗。
该功率MOSFET采用了最新的材料和技术，以实现更小的热阻和更高的散热性能，能够在高功率应用中保持出色的温度稳定性。
其坚固的设计可以承受雪崩和短路等极端情况，并且内置了过温保护功能以增强系统的安全性。
该芯片广泛用于开关电源(SMPS)、直流-直流转换器、不间断电源(UPS)、太阳能逆变器、电动汽车(EV)充电设备以及工业自动化控制中的电机驱动电路。此外，它也适用于各种需要高效功率转换和可靠运行的电子设备。
V105M0201X6S6R2NXT
V105M0201X6S6R4NXT
