时间：2025/6/11 14:31:55
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V104M0201X6S250NXT 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片，主要应用于高效率电源转换、电机驱动以及工业控制等领域。该芯片采用先进的制造工艺，具有低导通电阻和快速开关特性，能够在高频条件下保持高效的能量转换。
该型号属于 Vishay 的 Siliconix 系列，专为要求苛刻的应用环境设计，能够显著降低系统功耗并提高整体性能。
类型：MOSFET
封装：TO-252 (DPAK)
Vds（漏源极击穿电压）：250V
Rds(on)（导通电阻）：370 mΩ
Id（连续漏极电流）：4.9A
栅极电荷：25 nC
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
热阻（结到壳）：45 ℃/W
V104M0201X6S250NXT 具有出色的电气性能和可靠性，以下是其主要特性：
1. 高电压承受能力，Vds 高达 250V，适用于多种高压应用场景。
2. 极低的导通电阻 Rds(on)，有助于减少传导损耗并提升系统效率。
3. 快速开关速度，得益于较低的栅极电荷 Qg，适合高频开关电路。
4. 宽广的工作温度范围，确保在极端环境下依然稳定运行。
5. 符合 RoHS 标准，环保且满足全球市场的法规要求。
6. 封装紧凑，便于 PCB 布局和焊接，同时具备良好的散热性能。
该芯片广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS），如适配器、充电器等。
2. 直流-直流转换器（DC-DC Converter）。
3. 电机驱动和控制，例如无刷直流电机（BLDC）。
4. 工业自动化设备中的功率管理模块。
5. LED 驱动器和照明系统。
6. 汽车电子中需要高压处理的部分，如启动马达或逆变器。
Vishay IRF640,
STMicroelectronics STP120NF25,
Infineon IPP018N25N3
