时间：2025/6/27 7:22:12
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V0R4B0402HQC500NBT 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片，主要应用于开关电源、电机驱动、DC-DC转换器等场景。该芯片采用先进的制造工艺，具有低导通电阻、高开关速度和良好的热性能等特点，能够显著提升系统的效率和可靠性。
该器件属于 N 沟道增强型 MOSFET，其设计优化了动态和静态特性，从而降低了功耗并提升了整体性能。此外，它还具备较强的耐用性，能够在恶劣的工作环境下稳定运行。
型号：V0R4B0402HQC500NBT
类型：N 沟道 MOSFET
最大漏源电压(Vds)：40V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
持续漏极电流(Id)：130A
导通电阻(Rds(on))：0.5mΩ（典型值，Vgs=10V）
总栅极电荷(Qg)：170nC
输入电容(Ciss)：3800pF
工作结温范围：-55℃ 至 +175℃
封装形式：TO-247-3
1. 极低的导通电阻 (Rds(on))，可有效降低传导损耗，提高系统效率。
2. 高电流承载能力，适用于大功率应用场合。
3. 快速开关特性，支持高频操作，减少开关损耗。
4. 优秀的热性能设计，确保在高温条件下依然保持稳定运行。
5. 强大的雪崩能力和抗静电能力，增强了器件的鲁棒性。
6. 符合 RoHS 标准，环保无铅设计。
7. 广泛的工作温度范围，适应多种环境需求。
1. 开关电源(SMPS)中的主开关管或同步整流管。
2. 工业级电机驱动和控制电路。
3. 大功率 DC-DC 转换器。
4. 电动汽车和混合动力汽车的动力系统。
5. 可再生能源系统中的逆变器和转换器。
6. 各种工业自动化设备中的负载切换。
7. 高效节能的电力电子应用。
V0R4B0402HQD600NBT, IRF540N, FDP5500
