时间：2025/6/27 7:56:28
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V0R1B0201HQC250NAT 是一款由 STMicroelectronics 生产的高功率 IGBT 模块，适用于工业和汽车应用中的大电流和高电压切换场景。该模块采用半桥拓扑结构设计，内部包含两个 IGBT 单元和续流二极管，能够承受较高的开关频率和恶劣的工作环境。
型号：V0R1B0201HQC250NAT
制造商：STMicroelectronics
封装类型：HQC
额定电压：1200 V
额定电流：250 A
导通压降：≤ 2.0 V（典型值）
开关损耗：低
工作温度范围：-40℃ 至 +150℃
绝缘方式：陶瓷绝缘
引脚数量：13
V0R1B0201HQC250NAT 的主要特性包括：
1. 高可靠性设计，适合长期运行在恶劣环境下。
2. 内置快速恢复二极管，减少开关损耗并提高效率。
3. 支持高达 1200V 的阻断电压，确保在高压场景下的稳定性能。
4. 具有较低的导通压降和开关损耗，提升整体系统效率。
5. 符合汽车级质量标准，满足严苛的车规要求。
6. 紧凑型 HQC 封装，便于集成到空间受限的应用中。
7. 强大的散热能力，支持高负载持续运行。
V0R1B0201HQC250NAT 广泛应用于以下领域：
1. 新能源汽车驱动系统，如电机控制器。
2. 工业变频器和逆变器。
3. 太阳能光伏逆变器。
4. 不间断电源 (UPS) 系统。
5. 风力发电变流器。
6. 电焊机及其他大功率工业设备。
其高功率密度和可靠性能使其成为高压、大电流应用场景的理想选择。
FGH1200E250A_B11,
FF250R12ME4,
SKM250GB12T4
