时间：2025/8/30 21:35:59
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V07E50P是一款由Vishay公司生产的P通道增强型功率MOSFET，广泛应用于各种电源管理及功率控制场合。该器件具备高可靠性和稳定性，适用于需要高效能和低导通电阻的应用场景。V07E50P采用TO-252（DPAK）封装，适合表面贴装，具有良好的散热性能。
类型：P沟道MOSFET
漏源电压（VDS）：-70V
栅源电压（VGS）：±20V
连续漏极电流（ID）：-50A
导通电阻（RDS(on)）：典型值7mΩ，最大值9mΩ（在VGS=10V时）
功率耗散（PD）：160W
工作温度范围：-55°C至175°C
V07E50P的主要特性之一是其低导通电阻，这使得器件在高电流应用中能够减少功率损耗并提高效率。其7mΩ的典型RDS(on)值确保了在大电流下仍能保持较低的导通压降，从而减少发热并提升整体系统效率。
V07E50P采用TO-252（DPAK）封装，具备良好的热管理能力，适合高功率密度设计。该封装支持表面贴装工艺，简化了PCB组装流程，并提高了机械稳定性。
此外，该MOSFET具有高耐用性和抗过载能力，能够在恶劣的工作环境下稳定运行。其最大漏极电流可达-50A，适用于需要高电流承载能力的电源转换和电机控制应用。
V07E50P的栅极驱动电压范围为±20V，兼容标准MOSFET驱动器，方便集成到各种控制电路中。该器件还具备良好的抗雪崩击穿能力，提高了系统在瞬态过压情况下的可靠性。
V07E50P广泛应用于多种功率电子系统中，例如直流电源转换器、同步整流器、负载开关、电池管理系统以及电机驱动器等。其高电流能力和低导通电阻使其成为高性能电源管理方案的理想选择。此外，该器件也适用于工业自动化设备、汽车电子系统以及可再生能源转换系统等高可靠性要求的应用场景。
Si7461DP, IRF9Z34N, FDP100N10A
