时间：2025/8/1 17:44:25
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UZTX450STOA 是一款由东芝（Toshiba）生产的功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高功率、高频开关应用。该器件采用先进的制造工艺，具有低导通电阻（Rds(on)）和高电流承载能力，适用于电源转换器、电机驱动、DC-DC转换器、UPS系统以及工业自动化设备等高性能功率电子系统。
类型：N沟道MOSFET
最大漏极电压（VDSS）：600V
最大漏极电流（ID）：18A
导通电阻（Rds(on)）：0.28Ω @ VGS=10V
栅极电荷（Qg）：40nC
工作温度范围：-55°C 至 150°C
封装形式：TO-247
功率耗散（PD）：125W
UZTX450STOA具有优异的导通性能和开关特性，适用于高频率和高效率的功率转换应用。其低导通电阻可以显著降低导通损耗，提高系统效率。此外，该器件具有较高的热稳定性和可靠性，能够承受较高的工作温度，适用于各种恶劣的工业环境。
该MOSFET采用了先进的沟槽栅极技术，优化了载流子分布，提高了器件的开关速度和耐压能力。其高雪崩能量能力（Avalanche Energy）使其在高电压应力环境下仍能保持稳定工作，提高了整体系统的耐用性。
在封装方面，UZTX450STOA采用TO-247封装，具有良好的散热性能，便于安装在散热器上，以提高热管理效率。这种封装形式广泛用于工业级功率电子设备中，确保了良好的机械强度和电气性能。
UZTX450STOA广泛应用于多种功率电子系统中，包括但不限于：开关电源（SMPS）、电机控制、DC-DC转换器、不间断电源（UPS）、光伏逆变器、工业自动化设备以及LED照明驱动电路。其高耐压能力和低导通电阻特别适合需要高效率和高可靠性的应用场景。
TK15A60D, 2SK2148, IRFPC50, FQA16N60C
