时间：2025/10/8 4:29:37
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UWT1V4R7MCL1GB是一款由KIOXIA（铠侠）公司生产的嵌入式闪存存储器件，属于其UFS（Universal Flash Storage）产品系列。该型号遵循JEDEC UFS 3.1标准，专为高性能、低功耗的移动和嵌入式应用设计，广泛应用于高端智能手机、平板电脑、车载信息娱乐系统以及其他对数据吞吐速度和响应时间有严苛要求的设备中。UWT1V4R7MCL1GB的具体容量为128GB，采用BGA封装形式，具备多通道架构、高带宽接口以及先进的NAND Flash技术，能够实现快速的顺序读写和随机访问性能。该器件集成了高效的控制器和磨损均衡算法，支持高级功能如写入加速、深度睡眠模式、命令队列和安全写入保护等，以提升整体系统性能和数据可靠性。此外，UWT1V4R7MCL1GB还符合AEC-Q100等车规级可靠性标准，在高温、高湿及振动环境下仍能保持稳定运行，适合在复杂工业和汽车环境中部署。
品牌：KIOXIA（铠侠）
产品类型：UFS 3.1 嵌入式闪存
型号：UWT1V4R7MCL1GB
容量：128GB
接口标准：UFS 3.1
封装类型：BGA
工作温度范围：-40°C 至 +85°C
存储介质：3D NAND Flash
顺序读取速度：最高约2100 MB/s
顺序写入速度：最高约1200 MB/s
随机读取IOPS：高达约650K
随机写入IOPS：高达约650K
电源电压：VCC：2.7V~3.6V，VCCQ：1.7V~1.95V
符合标准：JEDEC UFS ver 3.1
UWT1V4R7MCL1GB具备多项先进特性，使其在高性能嵌入式存储市场中脱颖而出。首先，它基于UFS 3.1规范，采用MIPI M-PHY 4.1版与UniPro 1.8版组合的高速串行接口，支持双通道全双工通信，显著提升了数据传输效率并降低了延迟。相比前代eMMC或UFS 2.1方案，其理论带宽翻倍，特别适用于4K/8K视频录制、大型游戏加载和AI模型推理等高负载场景。
其次，该器件内置智能控制器，集成FTL（Flash Translation Layer）算法，支持动态磨损均衡、坏块管理和垃圾回收机制，有效延长了NAND闪存寿命并维持长期性能稳定性。同时支持Write Booster技术，利用SLC缓存大幅提升突发写入速度；结合Host Performance Booster功能，可在待机状态下保持部分电路激活，实现更快的唤醒响应。
再者，UWT1V4R7MCL1GB支持Deep Sleep Mode节能技术，在设备休眠时大幅降低功耗，有助于延长移动设备电池续航。其还具备RPMB（Replay Protected Memory Block）分区，用于安全存储密钥和认证数据，满足DRM和生物识别等安全需求。此外，该器件通过了严格的车规级可靠性测试，具备出色的抗振动、耐高温和长期数据保持能力，适用于车载导航、ADAS系统等严苛环境。最后，产品采用小型化BGA封装，节省PCB空间，便于高密度布局，是现代紧凑型电子产品理想的存储解决方案。
UWT1V4R7MCL1GB主要应用于对存储性能和可靠性要求较高的高端电子设备中。其首要应用场景为旗舰级智能手机和平板电脑，支持快速应用启动、流畅多任务切换、高清视频拍摄与编辑以及大型游戏资源即时加载，显著提升用户体验。在车载电子领域，该器件可用于车载信息娱乐系统（IVI）、数字仪表盘、高级驾驶辅助系统（ADAS）以及车载记录仪等模块，凭借其宽温工作能力和高可靠性，能够在剧烈温变和持续震动条件下稳定运行，确保行车数据的安全存储与快速调用。此外，该UFS器件也适用于工业级手持终端、医疗成像设备、无人机和边缘计算网关等需要高耐用性和强实时响应的场合。由于其支持安全写入和加密分区功能，还可用于涉及用户隐私和敏感数据处理的设备中，如生物识别门禁系统、金融支付终端等。随着5G和AIoT的发展，UWT1V4R7MCL1GB凭借其高速、低延迟和低功耗特性，正逐步成为下一代智能终端的核心存储组件之一。
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