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UWT1HR33MCL1GB 发布时间 时间:2025/10/6 16:53:49 查看 阅读:6

UWT1HR33MCL1GB是一款由Samsung(三星)生产的嵌入式多媒体卡(eMMC)存储芯片,广泛应用于移动设备、消费类电子产品和嵌入式系统中。该器件属于高可靠性、低功耗的闪存解决方案,采用BGA封装形式,适用于对空间和功耗敏感的应用场景。UWT1HR33MCL1GB的存储容量为32GB,符合JEDEC eMMC 5.1标准,工作电压为3.3V,支持高速模式下的数据传输速率,能够满足现代智能设备对于快速启动、流畅应用加载和高效数据读写的需求。该芯片集成了NAND Flash存储介质和控制器于一体,简化了系统设计并提高了数据管理效率。其内置的错误校正码(ECC)、磨损均衡算法和坏块管理功能,确保了数据的完整性与长期可靠性。此外,UWT1HR33MCL1GB还具备良好的温度适应性,可在较宽的工业级温度范围内稳定运行,适合在各种环境条件下使用。

参数

型号:UWT1HR33MCL1GB
  制造商:Samsung
  产品类型:eMMC NAND Flash
  存储容量:32GB
  接口标准:eMMC 5.1
  工作电压:3.3V
  封装类型:BGA
  数据传输速率:支持HS400模式
  工作温度范围:-25°C ~ +85°C
  存储器技术:MLC NAND Flash

特性

UWT1HR33MCL1GB具备多项先进特性,使其在嵌入式存储市场中具有较强的竞争力。首先,该芯片基于eMMC 5.1规范设计,支持HS400高速接口模式,能够在双倍数据速率(DDR)下实现高达400MB/s的数据读取速度,显著提升了系统的响应能力和多任务处理性能。这对于需要频繁访问存储的应用如操作系统加载、应用程序启动和高清视频播放尤为重要。
  其次,该器件集成了高效的闪存控制器,负责管理底层NAND Flash的操作,包括地址映射、垃圾回收、磨损均衡和ECC纠错等关键功能。这些机制不仅延长了存储寿命,还提升了整体可靠性和稳定性。特别是其内置的高级ECC算法,可有效纠正多位错误,防止因位翻转或物理损伤导致的数据丢失。
  再者,UWT1HR33MCL1GB采用了MLC(Multi-Level Cell)NAND技术,在保证较高存储密度的同时兼顾成本与性能平衡。相比TLC方案,MLC在耐久性和写入寿命方面表现更优,适合对数据写入频繁且要求较长使用寿命的工业应用场景。
  此外,该芯片支持安全写保护、分区管理(Enhanced User Area, Boot Partitions)等功能,允许用户将存储划分为多个逻辑区域,用于存放固件、配置文件或用户数据,提升系统安全性与管理灵活性。
  最后,UWT1HR33MCL1GB通过严格的可靠性测试,具备出色的抗振动、抗冲击和温度适应能力,符合工业级应用需求,广泛用于车载信息娱乐系统、医疗设备、智能家电和工业控制终端等领域。

应用

UWT1HR33MCL1GB主要应用于各类需要嵌入式大容量存储的电子设备中。在智能手机和平板电脑领域,它作为主存储单元承载操作系统、应用程序和用户数据,凭借其高速读写能力和小尺寸封装,有助于实现设备轻薄化与高性能的统一。在智能家居设备如智能电视、机顶盒和网络摄像头中,该芯片提供稳定的本地存储支持,用于缓存视频流、保存监控录像或运行图形化用户界面。
  在工业自动化与物联网(IoT)领域,UWT1HR33MCL1GB被广泛集成于工控机、HMI人机界面、边缘计算网关和远程数据采集终端中,承担固件存储和运行日志记录任务。其宽温工作能力和高可靠性确保在恶劣环境下仍能长时间稳定运行。
  此外,该芯片也适用于车载电子系统,例如车载导航仪、行车记录仪和ADAS辅助驾驶模块。在这些应用中,快速启动和断电保护功能至关重要,而UWT1HR33MCL1GB的电源管理机制和数据完整性保障措施能够有效应对车辆点火瞬间的电压波动和意外断电情况。
  教育类电子设备如电子书阅读器、学习平板和便携式考试终端同样采用此类eMMC存储方案,以实现低成本、高集成度的设计目标。总体而言,UWT1HR33MCL1GB因其高性能、高可靠性和广泛的兼容性,成为中高端嵌入式系统中的主流存储选择之一。

替代型号

KLMAG1JETD

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UWT1HR33MCL1GB参数

  • 制造商Nichicon
  • 产品种类铝质电解电容器-SMD
  • 电容0.33 uF
  • 容差20 %
  • 电压额定值50 Volts
  • 工作温度范围- 55 C to + 105 C
  • 尺寸4 mm Dia. x 5.4 mm L x 4.3 mm H
  • 产品Aluminum Electrolytic Capacitors
  • Capacitance - nF330 nF
  • Capacitance - pF330000 pF
  • 损耗因数 DF0.14
  • 漏泄电流3 uAmps
  • 加载寿命1000 hr
  • 封装Reel
  • 纹波电流3.2 mAmps
  • 系列WT
  • 工厂包装数量2000
  • 端接类型SMD/SMT