时间：2025/10/7 5:17:07
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UWT1H4R7MCR1GB 是一款由 Samsung（三星）生产的嵌入式存储芯片，属于其 K-MDB 系列中的 eMMC（embedded MultiMediaCard）产品。该器件主要用于移动设备和嵌入式系统中，作为主存储解决方案，提供可靠的非易失性数据存储能力。eMMC 将 NAND 闪存、控制器和标准接口集成在一个小型封装内，简化了系统设计并提高了数据读写性能与可靠性。UWT1H4R7MCR1GB 具体型号表明其容量为 64GB（等效标称值），基于 TLC（Triple-Level Cell）NAND 技术构建，并采用 BGA 封装形式，适用于智能手机、平板电脑、车载信息娱乐系统、工业控制设备以及物联网终端等对空间和功耗敏感的应用场景。该芯片符合 JEDEC eMMC 5.1 标准，支持高速模式（HS400），能够实现较高的顺序读写速度，满足操作系统运行、应用程序加载和多媒体文件存储的需求。此外，它内置了 ECC（错误校验与纠正）、磨损均衡（Wear Leveling）、坏块管理（Bad Block Management）等高级闪存管理功能，确保长期使用的稳定性和数据完整性。UWT1H4R7MCR1GB 还具备低功耗特性，支持多种电源管理模式，有助于延长电池供电设备的续航时间。作为三星原厂制造的 eMMC 器件，其品质受严格控制，具有良好的兼容性和长期供货保障，广泛应用于消费类电子和工业领域。
品牌：Samsung
产品系列：K-MDB
类型：eMMC 5.1
容量：64GB
封装类型：BGA
工作电压：2.7V ~ 3.6V
接口标准：eMMC 5.1 HS400
工作温度范围：-25°C ~ +85°C
存储介质：TLC NAND Flash
最大顺序读取速度：约 250MB/s
最大顺序写入速度：约 90MB/s
是否支持高可靠性模式：是
是否支持加密功能：否
平均无故障时间（MTBF）：> 1,000,000 小时
UWT1H4R7MCR1GB 的核心特性之一是其集成了高性能控制器与高品质 TLC NAND 闪存颗粒，实现了在紧凑封装下的高效能存储解决方案。
该芯片基于 eMMC 5.1 接口标准，支持双倍数据速率（DDR）模式下的 HS400 操作，理论带宽可达 400MB/s，实际持续读取速度可达到约 250MB/s，在同代 eMMC 产品中处于领先水平，足以流畅支持 Android 等操作系统的快速启动和大型应用的加载需求。
其内置的智能闪存管理技术包括动态与静态磨损均衡、全局与局部垃圾回收机制、强效 ECC 纠错算法（可处理高达数千位的错误），以及坏块映射与替换策略，这些功能共同提升了产品的耐用性和数据安全性。
此外，该器件具备出色的环境适应能力，可在 -25°C 至 +85°C 的宽温范围内稳定工作，适合部署于高温或低温工业环境中。
电源管理方面，UWT1H4R7MCR1GB 支持自动睡眠模式、深度睡眠模式和待机模式，能够在空闲时显著降低功耗，对于移动设备尤为重要。
封装尺寸小巧（典型为 11.5mm x 13mm x 1.2mm），便于在空间受限的设计中布局。
Samsung 对该系列产品实施严格的测试流程，包括老化测试、高低温循环测试和数据保持力验证，确保每颗芯片都具备高可靠性和长寿命。
同时，该芯片支持安全擦除指令和写保护功能，防止非法访问或误删除关键数据，增强了整体系统的安全性。
由于采用标准化协议，UWT1H4R7MCR1GB 可与主流 SoC 平台无缝对接，减少开发周期和认证成本，非常适合批量生产项目使用。
UWT1H4R7MCR1GB 被广泛应用于各类需要嵌入式大容量存储的电子产品中。
在消费电子领域，它是智能手机和平板电脑的理想选择，可用于存储操作系统、用户数据、照片、视频和应用程序，尤其适用于中端机型，在成本与性能之间取得良好平衡。
在车载系统中，该芯片可用于信息娱乐主机（IVI）、数字仪表盘或行车记录仪，支持导航地图缓存、音频视频播放和事件日志记录等功能，并能在车辆启停过程中保持数据完整性。
工业控制设备如 HMI（人机界面）、PLC（可编程逻辑控制器）和工业网关也常采用此类 eMMC 存储器，用于固件存储和运行时数据缓冲，其宽温特性和高可靠性满足严苛工业环境要求。
此外，该芯片还适用于智能家居中枢、网络摄像头、POS 终端、医疗监控设备等物联网边缘节点设备，为其提供稳定的本地存储能力。
由于其标准化接口和即插即用特性，开发者可以快速完成硬件设计与系统集成，缩短产品上市时间。
特别是在无法使用外部 SD 卡或需要更高稳定性的场合，UWT1H4R7MCR1GB 提供了一种安全、高效的板载存储方案。
其长期供货能力和三星品牌的品质背书，也使其成为许多 OEM 厂商首选的嵌入式存储组件之一。
KTMC1J00AM-LGAST
