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UWT1H2R2MCR2GB 发布时间 时间:2025/10/7 0:49:16 查看 阅读:9

UWT1H2R2MCR2GB 是一款由 Samsung(三星)生产的嵌入式多媒体卡(eMMC)存储芯片,广泛应用于移动设备、物联网设备、平板电脑、智能电视以及其他需要高可靠性、小尺寸和中等容量存储的嵌入式系统中。该器件属于三星的 eMMC 5.1 系列产品,采用 BGA 封装形式,集成了 NAND 闪存和控制器于一体,提供标准化接口,简化了系统设计并提升了数据管理效率。UWT1H2R2MCR2GB 的命名遵循三星 eMMC 型号编码规则,其中 'UW' 表示产品系列,'T1' 指代特定工艺或平台,'H2' 可能代表密度或功能等级,'R2' 指读写性能等级,'MC' 表示 MultiMediaCard,'R2G' 对应 2GB 存储容量,'B' 为版本或批次标识。这款芯片在出厂时已进行初始化配置,支持自动坏块管理、磨损均衡、错误校正码(ECC)等功能,确保数据完整性与长期稳定性。其工作电压通常为 2.7V 至 3.6V,接口为 8 位数据总线,兼容 JEDEC 标准 eMMC 协议,可在 -25°C 到 +85°C 的工业级温度范围内稳定运行,适用于消费类电子产品中的固件存储或基础数据缓存场景。

参数

品牌:Samsung
  型号:UWT1H2R2MCR2GB
  产品类型:eMMC Flash Memory
  存储容量:2GB
  接口标准:eMMC 5.1
  工作电压:2.7V ~ 3.6V
  数据总线宽度:8-bit
  封装类型:BGA
  工作温度范围:-25°C ~ +85°C
  存储温度范围:-40°C ~ +85°C
  最大编程/擦除次数:典型值 3K P/E cycles
  可靠性数据保持时间:10 年(在 +25°C 下)

特性

UWT1H2R2MCR2GB 具备完整的嵌入式存储解决方案架构,内置智能闪存控制器,能够自主处理 NAND 闪存的底层操作,包括地址映射、垃圾回收、磨损均衡以及高级错误校正机制。该芯片采用 MLC(多层单元)NAND 技术,在保证成本效益的同时提供可靠的读写性能。其控制器集成硬件 ECC 引擎,可实时检测并纠正多位错误,显著提升数据安全性与系统耐用性。支持命令队列和预读取功能,优化随机访问延迟,提高整体 I/O 效率。此外,该器件具备低功耗运行模式,如睡眠模式和待机模式,有助于延长电池供电设备的续航时间。在启动方面,支持安全启动(Secure Boot)和写保护功能,防止非法篡改固件内容,满足嵌入式系统对安全性的基本需求。物理上,BGA 封装使其具有良好的散热性能和抗振动能力,适合紧凑型 PCB 设计,并可通过回流焊工艺实现自动化生产。该芯片还支持 TRIM 命令以维持长期写入性能,并具备断电保护机制,减少突发断电导致的数据损坏风险。所有这些特性共同构成了一个高度集成、稳定可靠且易于集成的嵌入式存储方案,特别适用于对空间和功耗敏感的应用环境。
  此外,UWT1H2R2MCR2GB 遵循 JEDEC eMMC 5.1 规范,确保与主流应用处理器的兼容性。它支持多种操作模式,包括默认模式、高速模式(HS)和双数据速率模式(DDR),最高传输速率可达 52MB/s(在 DDR 模式下)。这种灵活性使得它既能满足基本功能机的需求,也能胜任部分轻量级智能设备的数据存取任务。出厂前经过严格测试,每颗芯片都具备唯一的设备识别码(Device ID),便于设备制造商进行资产追踪和固件匹配管理。同时,支持分区管理功能,允许用户将存储空间划分为多个逻辑分区(如引导分区、RPMB、通用分区等),增强系统的模块化与安全性。总体而言,该器件在性能、可靠性与集成度之间实现了良好平衡,是中低端嵌入式系统中理想的存储选择。

应用

主要用于智能手机、功能手机、智能手表、儿童定位器、Wi-Fi 路由器、网络摄像头、智能家居控制面板、工业 HMI 显示终端、车载信息娱乐系统(非主控)、电子书阅读器、便携式医疗设备、POS 终端以及各类基于嵌入式处理器的物联网节点设备。由于其小容量特性,常被用于存放操作系统引导程序、固件镜像、配置文件或临时数据缓存,尤其适合不需要大容量存储但要求稳定启动和长期运行的场合。在工业和消费类电子产品中,该型号也常作为主控 MCU 的外扩存储单元,替代传统 SPI NOR/NAND 方案,以获得更高的读写速度和更强的错误管理能力。

替代型号

KLME2GJWDDBZ

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UWT1H2R2MCR2GB参数

  • 制造商Nichicon
  • 产品种类铝质电解电容器-SMD
  • 电容2.2 uF
  • 容差20 %
  • 电压额定值50 Volts
  • 工作温度范围- 55 C to + 105 C
  • 尺寸3 mm Dia. x 5.4 mm L x 3.3 mm H
  • 产品Aluminum Electrolytic Capacitors
  • Capacitance - nF2200 nF
  • 损耗因数 DF0.14
  • 漏泄电流3 uAmps
  • 加载寿命1000 hr
  • 封装Reel
  • 纹波电流9 mAmps
  • 系列WT
  • 工厂包装数量2000
  • 端接类型SMD/SMT