类型：双向TVS二极管阵列
　　峰值脉冲功率：3000W（8/20μs波形）
　　反向 standoff 电压（VRWM）：3.3V
　　击穿电压（VBR）：最小3.7V，典型值4.1V，最大4.5V
　　钳位电压（VC）：9.2V @ IPP = 32.6A
　　峰值脉冲电流（IPP）：32.6A
　　电容典型值（Cj）：12pF @ 0V, 1MHz
　　漏电流（IR）：小于1μA @ VRWM
　　引脚数：2
　　封装形式：SMC（DO-214AB）
　　工作结温范围：-55°C 至 +150°C
　　极性：双向

UVZ2W3R3MPD的核心特性之一是其卓越的瞬态抑制能力，能够在纳秒级时间内响应高达3000W的峰值脉冲功率，有效吸收来自外部环境或内部开关操作所产生的能量冲击。这一性能得益于其内部采用的高效雪崩二极管结构，该结构在遭遇过电压时会迅速进入雪崩导通状态，将多余的能量通过接地路径释放，从而维持被保护线路的电压稳定。同时，由于其双向导通特性，无论瞬态电压是正向还是负向，都能实现对称性的钳位保护，避免因极性变化导致的保护盲区，特别适用于交流信号线或差分对传输线路的防护。
　　另一个关键优势是其极低的结电容（典型值仅为12pF），这对于高速数据接口至关重要。在USB、HDMI、以太网、RS-485、CAN总线等高频信号传输应用中，过高的寄生电容会导致信号衰减、上升/下降时间延长甚至误码率升高。UVZ2W3R3MPD凭借其低电容设计，最大限度地减少了对原始信号波形的影响，保证了信号完整性与通信可靠性。此外，其漏电流低于1μA，在静态工作状态下几乎不消耗额外功耗，也不会引入噪声干扰，非常适合电池供电或低功耗系统使用。
　　该器件还具备出色的热稳定性和长期耐久性。SMC封装不仅提供了良好的机械强度和焊接可靠性，还能有效传导热量，提升器件在连续多次浪涌冲击下的生存能力。经过严格的老化测试和环境应力筛选，UVZ2W3R3MPD可在-55°C至+150°C的宽温度范围内稳定工作，满足工业级和汽车级应用需求。其符合RoHS指令和无卤素要求，支持绿色环保制造流程。综合来看，UVZ2W3R3MPD以其高功率处理能力、低电容、快速响应和高可靠性，成为现代电子系统中不可或缺的前端保护元件。

UVZ2W3R3MPD广泛应用于各类需要高等级电磁干扰防护的电子系统中。在通信领域，常用于保护以太网端口、DSL线路、电话线路及无线基站中的射频前端模块，防止雷击感应或邻近设备切换引起的电压尖峰损坏收发器芯片。在工业自动化系统中，该器件可用于PLC输入输出端子、传感器接口、现场总线（如Profibus、CANopen）等易受电磁干扰的节点，提高系统的抗扰度和运行稳定性。
　　在消费类电子产品方面，UVZ2W3R3MPD适用于智能手机、平板电脑、笔记本电脑中的USB Type-A/C接口、音频插孔、摄像头模组等高速或高灵敏度信号线路的ESD保护。特别是在触摸屏控制器和Wi-Fi/蓝牙天线馈线中，其低电容特性可确保高频信号无失真传输，同时抵御用户日常操作中可能产生的静电放电风险。
　　在汽车电子系统中，该TVS阵列可用于车载信息娱乐系统、ADAS传感器接口、OBD-II诊断端口以及车身控制模块中的LIN/CAN总线保护。面对车辆启动瞬间的大电流波动、负载突降（Load Dump）或乘客进出车辆时的静电释放，UVZ2W3R3MPD能够提供可靠的电压钳位功能，保障ECU和其他关键电子单元的安全运行。此外，它也适用于医疗设备、测试测量仪器和便携式电源管理系统，作为第一道防线抵御不可预测的瞬态威胁，延长产品使用寿命并提升整体安全性。

[
　　 "SMCJ3.3CA",
　　 "P6KE3.3CAR",
　　 "TPD3USB3301DCKR",
　　 "ESD9L3.3ST5G"
　　]