器件类型：齐纳二极管
　　极性：单路齐纳
　　最大耗散功率：500mW
　　标称齐纳电压：3.3V
　　测试电流：5mA
　　最大齐纳阻抗（Zzt）：20Ω
　　最大反向漏电流：1μA
　　工作结温范围：-65°C 至 +150°C
　　存储温度范围：-65°C 至 +150°C
　　封装类型：SOD-123FL
　　安装方式：表面贴装
　　湿度敏感等级（MSL）：1级（260°C，无限时间）

UVZ2E3R3MPD具备优异的电压调节能力和稳定性，其核心特性之一是低动态阻抗，这保证了在负载变化或输入波动时仍能维持输出电压的高度一致性。该器件在3.3V电压点上表现出色，特别适用于现代低电压逻辑电路中的参考电压源应用。其SOD-123FL封装不仅节省空间，还具有良好的散热性能，有助于将热量有效传导至PCB，从而提升整体热管理效率。此外，该齐纳二极管经过严格的筛选和老化测试，确保在长时间运行中不会出现显著的电压漂移。
　　另一个关键特性是其出色的温度稳定性。通过优化的掺杂工艺和结构设计，UVZ2E3R3MPD在-65°C到+150°C的工作结温范围内保持较低的电压温度系数，减少了因环境温度变化引起的误差。这对于需要高精度电压基准的应用至关重要，例如ADC/DAC偏置电路或传感器信号调理模块。同时，该器件具有极低的反向漏电流（最大1μA），在待机或低功耗模式下几乎不消耗额外能量，非常适合电池供电设备。
　　UVZ2E3R3MPD还具备良好的瞬态响应能力，能够快速吸收电压尖峰和静电放电（ESD）脉冲，提供一定程度的电路保护功能。其ESD耐受能力符合IEC 61000-4-2标准，增强了系统的鲁棒性。制造过程中采用无铅焊接工艺和符合RoHS指令的材料，满足现代电子产品对环保和可靠性的双重需求。所有这些特性使得UVZ2E3R3MPD成为高性能、小尺寸电压稳压解决方案的理想选择。

UVZ2E3R3MPD常用于需要稳定3.3V参考电压的各类电子系统中。典型应用场景包括便携式设备如智能手机、平板电脑和可穿戴设备中的电源监控与电压检测电路。它也广泛应用于微控制器单元（MCU）的复位电路中，作为电压监测元件，确保系统在供电不足时能够正确复位。在通信接口电路中，如USB、I2C或UART电平转换部分，该齐纳二极管可用于钳位电压，防止信号线上的过压损坏后级IC。
　　此外，该器件适用于工业自动化系统中的传感器信号调理电路，为其提供精确的偏置电压。在电池管理系统（BMS）中，UVZ2E3R3MPD可用于电压采样网络的保护，防止高压串扰影响测量精度。其小型封装使其非常适合空间受限的设计，如TWS耳机、智能手表和其他微型电子模块。在汽车电子领域，尽管其非车规级认证，但在辅助照明控制、车载信息娱乐系统的外围电路中也有一定应用，前提是工作条件在其规格范围内。
　　由于其良好的高频响应和低寄生参数，UVZ2E3R3MPD也可用作射频电路中的直流偏置稳定元件。在测试与测量仪器中，它可作为校准参考点的一部分，辅助实现高精度读数。总体而言，该器件凭借其稳定性、小型化和高可靠性，已成为众多消费类、工业类和通信类产品中不可或缺的基础元器件。

BZX84-C3V3, MMBZ5226B-7-F, SZMZ5226B-DIO-L