时间：2025/10/8 5:29:53
阅读：4
UVZ2D100MPD是一款由Vishay Siliconix生产的N沟道TrenchFET功率MOSFET，广泛应用于需要高效率和紧凑设计的电源管理领域。该器件采用先进的沟槽技术制造，能够在较小的封装内提供优异的导通性能和开关特性，适用于多种中高功率应用场景。其主要优势在于低导通电阻（RDS(on)）、高电流承载能力以及良好的热稳定性，使其在DC-DC转换器、电机驱动、负载开关和电池供电系统中表现出色。UVZ2D100MPD采用PowerPAK SO-8L封装，具有优良的散热性能，能够在有限的PCB空间内实现高效功率传输。此外，该MOSFET符合RoHS环保标准，并具备高可靠性，适合工业、消费类电子及便携式设备使用。该器件的工作结温范围通常为-55°C至+150°C，确保在恶劣环境条件下仍能稳定运行。由于其优化的栅极电荷和输入电容，UVZ2D100MPD在高频开关应用中可显著降低开关损耗，提升整体系统效率。
型号：UVZ2D100MPD
制造商：Vishay Siliconix
器件类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压（VDS）：20 V
最大连续漏极电流（ID）：17.8 A
最大脉冲漏极电流（IDM）：71 A
最大栅源电压（VGS）：±12 V
导通电阻（RDS(on) max）：10 mΩ @ VGS = 10 V, ID = 9 A
导通电阻（RDS(on) max）：13 mΩ @ VGS = 4.5 V, ID = 9 A
阈值电压（VGS(th)）：1.0 V ~ 2.3 V
栅极电荷（Qg）：11 nC @ VGS = 10 V
输入电容（Ciss）：500 pF @ VDS = 10 V
功率耗散（PD）：2.5 W（TA = 25°C），受限于封装热阻
工作结温范围（TJ）：-55°C 至 +150°C
封装类型：PowerPAK SO-8L
UVZ2D100MPD采用Vishay先进的TrenchFET技术，通过优化的沟槽结构显著降低了导通电阻和开关损耗，从而提高了整体能效。其低RDS(on)特性使其在大电流应用中能够有效减少功率损耗和发热，延长系统寿命并提升可靠性。该器件的栅极电荷（Qg）较低，有助于在高频开关环境中减少驱动功耗，特别适用于现代高频率DC-DC转换器和同步整流电路。
该MOSFET具备出色的热性能，得益于PowerPAK SO-8L封装的高效散热设计，即使在高功率密度布局下也能维持稳定的结温。这种封装无需额外散热片即可在适中的气流或自然对流条件下工作，有利于缩小终端产品的体积。此外，器件的雪崩能量承受能力较强，具备一定的过载保护能力，增强了系统的鲁棒性。
UVZ2D100MPD还具有良好的抗瞬态电流冲击能力，适用于电机启动、电源上电浪涌等动态负载场景。其快速开关响应时间减少了交叉导通风险，在半桥或全桥拓扑中表现优异。同时，该器件对栅极驱动信号的依赖性较低，可在较宽的VGS范围内保持稳定的导通状态，提升了设计灵活性。
在制造工艺方面，该产品遵循严格的品质控制流程，具备高良率和一致性，适合自动化贴装和回流焊工艺。其无铅且符合RoHS指令的设计也满足现代电子产品环保要求。综合来看，UVZ2D100MPD是一款高性能、高可靠性的功率MOSFET，适用于追求小型化与高效率并重的应用场合。
UVZ2D100MPD广泛用于各类需要高效功率切换的电子系统中。典型应用包括同步降压转换器和升压转换器，特别是在多相VRM（电压调节模块）中作为上下管使用，因其低导通电阻和快速开关特性可显著提升转换效率。该器件也常用于负载开关电路，用于控制电源路径的通断，适用于笔记本电脑、平板电脑和智能手机中的外设供电管理。
在电池管理系统（BMS）和便携式设备中，UVZ2D100MPD可用于电池充放电控制和保护电路，凭借其低静态损耗和高电流能力，有助于延长电池续航时间。此外，在电机驱动应用中，如微型风扇、振动马达或小型伺服系统，该MOSFET可作为驱动开关元件，实现精确的启停和调速控制。
工业控制领域中，该器件可用于PLC输出模块、传感器电源开关和继电器替代方案，提升响应速度并减少发热。在LED驱动电路中，尤其在需要恒流控制的背光或照明系统中，UVZ2D100MPD也可作为开关元件参与PWM调光操作。
由于其小尺寸封装和高功率密度特性，该器件特别适合空间受限但性能要求较高的应用，如无人机电源管理、可穿戴设备电源架构以及USB PD电源开关等新兴领域。总体而言，UVZ2D100MPD适用于任何需要低RDS(on)、高效率和紧凑设计的中低电压功率开关场景。
SiSS108DN-T1-GE3
FDMC86280S
