UVZ2C3R3MED是一款由Vishay Siliconix(威世硅集成)公司生产的表面贴装瞬态电压抑制二极管(TVS二极管),主要用于保护敏感电子电路免受瞬态电压事件(如静电放电ESD、电感负载开关引起的电压尖峰以及雷击感应等)的损害。该器件采用紧凑的PowerPAD? SMC(DO-214AB)封装,具备优良的散热性能和较高的功率处理能力,适用于需要高可靠性防护的工业、通信和消费类电子产品中。UVZ2C3R3MED属于齐纳型TVS二极管,其设计特点是在正常工作条件下呈现高阻抗状态,几乎不消耗电流;当线路电压超过其击穿电压时,迅速进入低阻态,将过电压钳位于安全水平,并将浪涌电流引导至地,从而保护后级电路。该型号的标称击穿电压为3.3V,最大反向关断电压为3.0V,能够有效兼容低电压逻辑电路(如3.3V或5V系统),特别适合用于USB接口、数据线、电源线及其他对ESD敏感的信号路径保护。由于其快速响应时间(通常在皮秒级)和低钳位电压特性,UVZ2C3R3MED能够在瞬态事件发生时提供即时而有效的保护。此外,该器件符合RoHS指令要求,并具有无卤素版本选项,满足现代绿色电子产品的环保标准。
类型:单向TVS二极管
封装:SMC(DO-214AB)
功率:600W(峰值脉冲)
击穿电压(VBR):3.3V @ 1mA
最大反向截止电压(VRWM):3.0V
钳位电压(VC):7.0V @ IPP = 85.7A
峰值脉冲电流(IPP):85.7A
响应时间:≤1ps
工作温度范围:-55°C ~ +150°C
存储温度范围:-55°C ~ +150°C
极性:单向
UVZ2C3R3MED具备卓越的瞬态电压抑制能力,其核心特性之一是精确且稳定的击穿电压,标称值为3.3V,在1mA测试电流下容差控制良好,确保在略高于正常工作电压时即启动保护机制,避免误触发或延迟响应。该TVS二极管采用齐纳雪崩复合结构,能够在极短时间内从高阻态切换到低阻态,响应速度达到皮秒级别,远快于传统过压保护器件如压敏电阻或气体放电管,因此能有效抑制高速瞬变事件,例如人体模型(HBM)或机器模型(MM)下的静电放电(ESD)脉冲。其钳位电压被限制在7.0V以内,即使在高达85.7A的峰值脉冲电流下也能维持较低的能量传递至被保护电路,显著降低下游元件损坏风险。
该器件的600W峰值脉冲功率容量使其适用于多种恶劣电气环境,能够在IEC 61000-4-2 Level 4(±8kV接触放电)等严苛的电磁兼容性测试中稳定运行。PowerPAD?封装不仅提供了良好的机械稳定性,还通过底部散热焊盘增强了热传导效率,允许器件在多次重复性浪涌冲击后仍保持性能一致性。此外,SMC封装尺寸较小(约7.1mm x 6.2mm x 2.2mm),便于在空间受限的PCB布局中使用,同时支持自动化贴片工艺,提高生产效率。
UVZ2C3R3MED具有极低的漏电流,在最大反向截止电压3.0V下典型值小于1μA,这意味着在正常工作状态下几乎不对系统造成额外负载,尤其适合电池供电设备以延长续航时间。器件还具备优异的循环耐久性,可承受数千次额定浪涌事件而不发生性能退化。所有这些特性共同使UVZ2C3R3MED成为高性能、高可靠性的电路保护解决方案,广泛应用于便携式电子设备、工业控制系统和通信接口中。
UVZ2C3R3MED常用于各类需要高灵敏度过压保护的低电压电子系统中。典型应用场景包括USB 2.0/3.0数据线保护,防止插拔过程中产生的静电或电源异常对接口控制器造成损伤;RS-232、RS-485等串行通信端口的信号线防护,提升工业设备在复杂电磁环境下的运行稳定性;便携式消费类电子产品如智能手机、平板电脑、可穿戴设备中的电源轨和I/O引脚保护,增强产品耐用性和用户安全性;此外,也适用于传感器信号调理电路、ADC输入前端、微控制器GPIO引脚等对噪声和瞬态干扰敏感的节点。在汽车电子领域,尽管该型号非AEC-Q101认证,但仍可用于非关键性车载辅助系统中的次级电路保护。其紧凑封装和高效散热设计也使其适合部署在密集布线的多层PCB上,特别是在追求小型化与高可靠性的现代电子设计中发挥重要作用。
SMBJ3.3A
SMCJ3.3A
P6KE3.3A
TPSMAJ3.3A