时间：2025/10/8 2:59:48
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UVZ2C100MPD是一款由Vishay Siliconix生产的N沟道TrenchFET功率MOSFET，采用先进的沟槽技术制造，专为高效率、高密度的电源转换应用而设计。该器件封装在PowerPAK SO-8L双片式（Dual Die）封装中，具有极低的导通电阻和优异的热性能，适合在空间受限且对功耗敏感的应用中使用。UVZ2C100MPD的漏源电压（VDS）为60V，连续漏极电流（ID）高达19A（在TC=25°C条件下），使其适用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动以及负载开关等高电流应用场景。
该器件的关键优势在于其优化的栅极电荷与导通电阻乘积（RDS(on) × Qg），有助于降低开关损耗并提高系统整体能效。同时，PowerPAK SO-8L封装无引线设计显著减少了寄生电感和电阻，提升了高频开关性能，并增强了散热能力。此外，该MOSFET符合RoHS标准，支持绿色环保制造要求。器件还具备良好的雪崩能量耐受能力和可靠的栅极氧化层设计，提高了在瞬态过压或负载突变情况下的系统鲁棒性。
型号：UVZ2C100MPD
制造商：Vishay Siliconix
器件类型：N沟道MOSFET
封装类型：PowerPAK SO-8L
漏源电压VDS：60 V
栅源电压VGS：±20 V
连续漏极电流ID：19 A（TC=25°C）
脉冲漏极电流IDM：76 A
导通电阻RDS(on) max：10.8 mΩ（VGS = 10 V）
导通电阻RDS(on) max：13.5 mΩ（VGS = 4.5 V）
栅极电荷Qg typ：25 nC（VDS = 30 V, ID = 9.5 A）
输入电容Ciss typ：1090 pF
开启延迟时间td(on) typ：8 ns
关断延迟时间td(off) typ：24 ns
工作结温范围TJ：-55 °C 至 +150 °C
存储温度范围Tstg：-55 °C 至 +150 °C
UVZ2C100MPD采用Vishay先进的TrenchFET技术，通过优化的沟槽结构实现了极低的导通电阻RDS(on)，从而大幅降低了导通状态下的功率损耗。在VGS = 10 V时，其最大RDS(on)仅为10.8 mΩ，在同类60V N沟道MOSFET中处于领先水平，有助于提升电源系统的整体效率，特别是在大电流持续工作的场景下效果显著。该器件还针对栅极电荷（Qg）进行了优化，典型总栅极电荷为25 nC，使得在高频开关应用中能够有效减少驱动损耗和开关过渡时间，进而降低开关损耗，提升系统能效。
PowerPAK SO-8L封装是该器件的一大亮点，采用无引线设计，极大程度地减少了封装本身的寄生电感和电阻，从而改善了高频开关行为并增强了热传导性能。相比传统SO-8封装，PowerPAK SO-8L具有更高的功率密度和更好的散热能力，能够在有限的PCB面积内实现更强的电流承载能力。此外，该封装支持双面散热，进一步提升了热管理效率，适用于紧凑型高功率密度设计。
UVZ2C100MPD具备良好的热稳定性和可靠性，工作结温可达+150°C，适用于工业级和汽车级严苛环境。其栅极氧化层经过严格工艺控制，可承受±20 V的栅源电压，具备较强的抗静电（ESD）能力。器件还通过了AEC-Q101车规认证，适用于车载电子系统中的DC-DC转换器、LED驱动和电池管理系统等应用。此外，该MOSFET具有较低的输出电容（Coss）和反馈电容（Crss），有助于减少反向恢复电荷和米勒效应，提升在同步整流和半桥拓扑中的性能表现。
UVZ2C100MPD广泛应用于需要高效、高电流开关能力的电源系统中。典型应用场景包括同步降压转换器和非隔离式DC-DC变换器，尤其是在服务器电源、通信设备电源模块和笔记本电脑适配器中作为高边或低边开关使用。其低导通电阻和快速开关特性使其在轻载和满载条件下均能保持高转换效率，满足现代能效标准如80 PLUS和Energy Star的要求。
在电机驱动领域，该器件可用于小型直流电机或步进电机的H桥驱动电路中，提供快速响应和低发热表现，适用于打印机、扫描仪、机器人关节等消费类和工业类设备。此外，在热插拔控制器和电子负载开关电路中，UVZ2C100MPD凭借其快速开启/关断能力和低导通损耗，可有效限制浪涌电流并实现平稳上电。
由于其通过AEC-Q101认证，该器件也适用于汽车电子系统，如车载信息娱乐系统电源、车身控制模块、LED车灯驱动电源等。在这些应用中，器件需承受较大的温度变化和电气应力，而UVZ2C100MPD的高可靠性和热稳定性确保了长期运行的安全性。此外，在光伏逆变器和储能系统的辅助电源中，该MOSFET也可用于实现高效的电压调节和能量传输。
SiSS108DN-T1-GE3
IRLHS6242TRPBF
FDMC86128
