电容：4700pF
　　容差：±20%
　　额定电压：50V DC
　　温度特性：X7R（-55°C ~ +125°C, ΔC/C ≤ ±15%）
　　封装尺寸：0805（2.0mm x 1.25mm）
　　工作温度范围：-55°C ~ +125°C
　　绝缘电阻：≥1000MΩ 或 R × C ≥ 500Ω·F（取较大值）
　　等效串联电阻（ESR）：低（典型用于高频去耦）
　　介质材料：陶瓷（Class II, BaTiO3基）
　　安装类型：表面贴装（SMD）
　　端接形式：镍阻挡层 + 锡镀层（Ni-Sn）
　　产品系列：Panasonic ECAS-U
　　RoHS合规性：符合

UVZ1H472MRD具备出色的电性能稳定性，在宽温度范围内保持电容值波动小，这得益于其采用的X7R类II型陶瓷介质材料。该材料以钛酸钡为基础，通过掺杂改性实现较高的介电常数与适中的温度稳定性之间的平衡，使其在不牺牲体积效率的前提下满足大多数工业级应用的需求。相较于Y5V等其他类II介质，X7R在温度变化时的电容漂移更小，因此更适合用于需要精度和可靠性的场合，例如反馈回路、定时电路或模拟信号路径中的耦合电容。
　　该器件具有极低的等效串联电阻（ESR）和等效串联电感（ESL），这使其在高频环境下表现出优异的去耦和旁路能力。在数字系统中，尤其是在处理器、FPGA或高速逻辑电路的电源引脚附近，UVZ1H472MRD可有效滤除高频噪声，抑制电压波动，提升系统稳定性。同时，由于其结构为多层叠片式设计，内部电极交错排列，进一步降低了寄生电感，增强了高频响应性能。
　　机械和环境适应性方面，UVZ1H472MRD采用了坚固的陶瓷体结构和优化的端电极设计，具备良好的抗弯曲和抗热冲击能力。其端子采用镍阻挡层加锡外镀层结构，不仅保证了良好的焊接性能，还防止了银离子迁移导致的短路风险，提高了长期使用的可靠性。该产品通过AEC-Q200认证的可能性较高，适用于汽车电子等严苛应用场景。此外，它符合RoHS指令要求，无铅且环保，适合全球市场的电子产品制造。
　　在寿命和老化特性上，X7R材质虽存在一定的电容随时间自然衰减的现象（老化率约为每十年2.5%左右），但这一过程是可预测且稳定的，用户可通过初始容差预留来补偿。总体而言，UVZ1H472MRD是一款集小型化、高可靠性、良好电气性能于一体的高品质MLCC，广泛应用于各类中高端电子设备中。

UVZ1H472MRD因其优良的温度稳定性、低ESR和紧凑的0805封装，被广泛应用于多种电子系统中。在电源管理电路中，它常用于DC-DC转换器的输入输出滤波、LDO稳压器的旁路电容，能够有效平滑电压纹波并抑制瞬态干扰，保障供电质量。在模拟电路中，该电容适用于信号耦合与去耦，特别是在运算放大器、ADC/DAC接口等精密模拟前端中，有助于隔离直流分量并传递交流信号，同时减少噪声串扰。
　　在数字系统中，UVZ1H472MRD可用于高速数字芯片（如微控制器、DSP、FPGA）的电源引脚去耦，吸收开关电流引起的瞬态电压尖峰，降低电源阻抗，从而防止逻辑错误或系统复位。其高频响应特性使其在GHz以下频段均能发挥良好作用，特别适合用于时钟线路、数据总线附近的局部储能元件。
　　在通信设备中，该电容可用于射频模块的偏置电路滤波、中频滤波网络以及阻抗匹配电路中的旁路功能。尽管不是专用射频电容，但在非关键射频路径中仍可胜任一般滤波任务。此外，在工业自动化设备、医疗仪器、测试测量装置等领域，由于其宽温工作能力和高可靠性，也被大量采用作为通用陶瓷电容解决方案。
　　汽车电子应用也是其重要使用场景之一，包括车载信息娱乐系统、车身控制模块、传感器接口电路等。配合AEC-Q200等级产品线，可在发动机舱外的电子单元中稳定运行。总之，UVZ1H472MRD是一款通用性强、适用范围广的高性能MLCC，适合各类对电容稳定性与可靠性有较高要求的设计。

GRM21BR71H472KA01L
　　C0805X7R1H472K050BC
　　CL21A472KBQNNNE
　　CC0805KRX7R9X472
　　EMK212B71H472KAQL