时间：2025/10/7 3:41:33
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UVY2W3R3MPD是一款由Vishay Siliconix生产的P沟道TrenchFET功率MOSFET，采用先进的沟槽技术制造，专为高效率、低功耗的应用场景设计。该器件具有优异的导通电阻（RDS(on)）和栅极电荷（Qg）性能，适用于多种电源管理应用，尤其是在空间受限且对热性能要求较高的便携式电子产品中表现突出。其封装形式为双通道SO-8（PowerPAK SO-8），具备良好的散热能力，能够在较小的PCB面积上实现高效的功率开关功能。UVY2W3R3MPD主要面向需要高集成度与高性能平衡的设计需求，在DC-DC转换器、负载开关、电池管理系统以及热插拔电路中广泛应用。
这款MOSFET的工作电压范围适合低电压系统，最大漏源电压（VDS）通常在-30V左右，能够承受一定的瞬态过压情况，同时保持稳定的开关特性。由于采用了优化的芯片结构，UVY2W3R3MPD在高频操作下仍能维持较低的开关损耗，有助于提升整体系统能效。此外，该器件符合RoHS环保标准，并通过了AEC-Q101车规级可靠性认证，使其不仅适用于工业和消费类电子设备，也可用于汽车电子系统中的低压功率控制模块。
型号：UVY2W3R3MPD
类型：P沟道
最大漏源电压(VDS)：-30V
最大栅源电压(VGS)：±20V
连续漏极电流(ID)：-5.6A
脉冲漏极电流(IDM)：-14A
导通电阻(RDS(on))：33mΩ @ VGS = -10V, 3.3A
导通电阻(RDS(on))：40mΩ @ VGS = -4.5V, 2.8A
阈值电压(Vth)：-1.0V ~ -2.0V
输入电容(Ciss)：520pF @ VDS=15V
反向恢复时间(trr)：28ns
工作结温范围(Tj)：-55°C ~ +150°C
封装/焊盘：PowerPAK SO-8
UVY2W3R3MPD采用Vishay专有的TrenchFET技术，这种先进的制造工艺显著降低了导通电阻与栅极电荷之间的乘积（RDS(on) × Qg），从而在保证低静态损耗的同时实现了快速的开关响应能力。该特性使得器件在高频开关电源应用中表现出色，例如同步整流型DC-DC变换器或负载点（POL）电源模块。其双通道SO-8封装内部集成了两个独立的P沟道MOSFET，允许设计师在一个紧凑的空间内完成双向电源控制或冗余路径设计，极大提升了功率密度。
该器件的低RDS(on)值确保了在大电流条件下仍能保持较小的导通压降，减少了发热并提高了系统效率。特别是在电池供电设备中，如智能手机、平板电脑和可穿戴设备，UVY2W3R3MPD可用于主电源开关或背光驱动电路，有效延长电池续航时间。此外，其较宽的栅源电压范围（±20V）增强了对异常工况的耐受能力，防止因栅极过压而导致的器件损坏。
另一个关键优势是出色的热稳定性。PowerPAK SO-8封装底部带有裸露焊盘，可通过PCB上的热过孔将热量迅速传导至地层或散热层，从而降低热阻（RθJA），提高长期运行的可靠性。即使在高温环境下，UVY2W3R3MPD也能稳定工作，满足严苛工业环境或车载电子系统的散热要求。
此外，该器件具备良好的抗雪崩能力和静电放电（ESD）防护性能，进一步增强了在复杂电磁环境下的鲁棒性。内置体二极管具有较快的反向恢复速度（trr=28ns），有助于减少交叉导通期间的能量损耗，尤其在半桥或H桥拓扑结构中尤为重要。综合来看，UVY2W3R3MPD凭借其高性能、小尺寸和高可靠性，成为现代高效电源系统中不可或缺的关键元件之一。
UVY2W3R3MPD广泛应用于各类需要高效能P沟道MOSFET的场合，典型用途包括便携式电子设备中的电源管理单元（PMU）、锂电池保护电路、热插拔控制器以及DC-DC降压/升压转换器的同步整流部分。在移动终端产品中，它常被用作主电源开关，控制主板供电的通断，以实现节能待机或安全关机功能。
此外，该器件也适用于工业自动化控制系统中的信号切换与负载驱动模块，例如PLC输出卡、传感器供电控制等场景。由于其具备车规级认证，UVY2W3R3MPD还可用于汽车电子系统，如车身控制模块（BCM）、电动门窗驱动、车载信息娱乐系统电源管理等低压直流控制回路。
在通信基础设施领域，该MOSFET可用于服务器电源板、网络交换机的冗余电源切换电路，保障系统持续运行。同时，得益于其低噪声特性和稳定的开关行为，UVY2W3R3MPD也能胜任精密仪器仪表中的电源隔离与分配任务。总之，凡是在-30V以下电压等级、追求高效率与小型化的功率控制应用中，UVY2W3R3MPD均是一个极具竞争力的选择。
SI7461DP-T1-GE3,Si3486DV,SZMPZS62P30DM
