产品型号：UVY2D100MPD
　　制造商：Vishay Siliconix
　　通道类型：P沟道
　　最大漏源电压（VDS）：-20V
　　最大栅源电压（VGS）：±12V
　　连续漏极电流（ID）：-1.8A（@VGS = -4.5V）
　　脉冲漏极电流（IDM）：-4.5A
　　导通电阻RDS(on)：65mΩ（@VGS = -4.5V）
　　导通电阻RDS(on)：80mΩ（@VGS = -2.5V）
　　阈值电压（VGS(th)）：-0.8V ~ -1.5V
　　输入电容（Ciss）：320pF（@VDS=10V）
　　反向恢复时间（trr）：未指定
　　工作结温范围：-55°C ~ +150°C
　　封装/外壳：SC-70（SOT-323）

UVY2D100MPD采用Vishay专有的TrenchFET技术，这种先进的制造工艺通过垂直沟槽结构显著提高了单位面积下的载流子迁移效率，从而实现了极低的导通电阻RDS(on)，同时保持较小的芯片尺寸。该器件在VGS = -4.5V时的典型RDS(on)仅为65mΩ，在VGS = -2.5V时为80mΩ，表明其在低电压驱动条件下仍能保持良好的导通性能，适合用于3.3V或更低逻辑电平系统的直接驱动。
　　该MOSFET的P沟道设计使其特别适用于高端开关应用，例如在电池供电设备中的电源路径控制或负载切换。与N沟道MOSFET相比，P沟道器件在高端配置中无需额外的电荷泵或自举电路即可实现完全导通，简化了电路设计并降低了系统成本。此外，其-20V的漏源击穿电压足以应对大多数低压直流系统中的瞬态电压波动，确保长期运行的稳定性。
　　PowerPAK SC-70封装不仅体积小巧（典型尺寸约为2mm x 1.25mm），还具备优良的热传导性能，有助于将芯片产生的热量有效传递至PCB，提升整体散热能力。尽管封装微小，但其引脚布局经过优化，便于自动化贴片生产和回流焊工艺，适用于高密度印刷电路板设计。
　　该器件具有出色的栅极氧化层可靠性，可承受高达±12V的栅源电压，增强了对静电放电（ESD）和电压瞬变的耐受能力。同时，其阈值电压范围控制在-0.8V至-1.5V之间，保证了器件在不同温度和工艺偏差下的稳定开启行为。输入电容仅为320pF，意味着驱动所需的能量较低，有利于降低控制器的驱动负担并减少开关损耗。
　　UVY2D100MPD还表现出良好的温度稳定性，其RDS(on)随温度的变化率相对平缓，确保在高温环境下依然维持较高的效率。该器件无铅、符合RoHS指令，并且属于“绿色”产品（无卤素），满足消费电子、工业控制及汽车电子等领域对环保材料的要求。

UVY2D100MPD广泛应用于各类低电压、小电流的开关和电源管理场景。常见用途包括便携式电子设备中的电池开关控制，如智能手机、平板电脑、可穿戴设备等，用于切断非工作状态下的系统功耗以延长待机时间。它也常被用作负载开关，控制特定功能模块的上电时序，防止浪涌电流影响主电源稳定性。
　　在电源管理系统中，该器件可用于DC-DC转换器的同步整流或高端开关，特别是在输入电压较低（如3V~5V）的情况下发挥优势。由于其支持逻辑电平驱动，可以直接由微控制器GPIO口驱动，省去额外的驱动电路，适用于嵌入式系统和物联网终端设备。
　　此外，UVY2D100MPD还可用于电机驱动电路中的H桥低端开关、LED背光调光控制、热插拔保护电路以及各种模拟开关应用。其小型封装特性使其成为空间敏感型设计的理想选择，例如超薄笔记本电脑、移动电源、无线耳机充电仓等产品。
　　在工业和汽车电子领域，该器件可用于传感器模块的电源控制、ECU中的辅助电源开关以及车载信息娱乐系统的电源管理部分。虽然其电流承载能力有限，但在信号级开关和低功耗控制回路中表现出色。
　　得益于其高可靠性和环境适应性，UVY2D100MPD也被用于医疗电子设备中，如便携式监护仪、血糖仪等需要长时间稳定运行的小型医疗器械。总之，凡是需要一个小型化、高效、易于驱动的P沟道MOSFET的场合，UVY2D100MPD都是一个极具竞争力的选择。

Si2301DS
　　AO3401A
　　FDD8858
　　RTQ2003