型号：UVR2E331MRD6
　　制造商：Vishay Siliconix
　　器件类型：MOSFET
　　沟道类型：N沟道
　　最大漏源电压（Vds）：25V
　　最大漏极电流（Id）：17A（连续）
　　导通电阻Rds(on)：3.3mΩ @ Vgs=10V, Id=8.5A
　　导通电阻Rds(on)：4.2mΩ @ Vgs=4.5V, Id=8.5A
　　栅极阈值电压（Vgs(th)）：1.0V ~ 2.5V
　　栅极电荷（Qg）：9nC @ Vds=12.5V, Id=8.5A
　　输入电容（Ciss）：520pF @ Vds=12.5V
　　功耗（Pd）：2.5W
　　工作结温范围：-55°C ~ +150°C
　　封装类型：PowerPAK SO-8L

UVR2E331MRD6采用Vishay先进的TrenchFET技术，这项技术通过优化的垂直沟槽结构显著降低了导通电阻Rds(on)，从而减少了传导损耗并提升了整体能效。其超低的Rds(on)值在同类产品中处于领先水平，尤其是在Vgs=10V时仅为3.3mΩ，这使得器件在大电流应用中能够有效降低温升，提高系统的可靠性。同时，在Vgs=4.5V下的Rds(on)为4.2mΩ，表明其在低电压驱动条件下依然具备优异的导通性能，适用于由逻辑电平信号直接驱动的场合，如PWM控制器输出级或电池供电系统中的开关控制。
　　该器件具有较低的栅极电荷（Qg=9nC）和输入电容（Ciss=520pF），这意味着在高频开关操作中所需的驱动能量更少，有助于降低驱动电路的功耗，并加快开关速度，减少开关过渡时间，从而进一步减小开关损耗。这对于现代高频率DC-DC转换器尤为重要，例如用于CPU供电的多相 buck 转换器或POL（点负载）电源模块。
　　PowerPAK SO-8L封装不仅体积小巧，还具备优良的散热性能，其底部裸露焊盘可有效将热量传导至PCB，提升热管理效率。这种封装无需使用通孔，支持自动化表面贴装工艺，有利于提高生产效率和产品一致性。此外，器件的工作结温范围宽达-55°C至+150°C，确保其在极端环境条件下仍能稳定运行，适用于工业级甚至部分汽车电子应用场景。
　　UVR2E331MRD6还具备良好的抗雪崩能力和坚固的栅氧化层设计，增强了器件在瞬态过压和浪涌条件下的耐受能力。其符合RoHS指令且不含卤素，满足现代绿色电子产品对环保材料的要求。综合来看，该MOSFET凭借其高性能、小尺寸和高可靠性，成为众多高密度电源设计的理想选择。

UVR2E331MRD6广泛应用于多种高效率、高频率的电源管理系统中。典型应用包括同步整流型DC-DC降压（buck）转换器，特别是在多相供电架构中作为下管（low-side MOSFET）使用，利用其低Rds(on)和低Qg特性实现高效能量转换。它也常用于负载开关电路，控制电源路径的通断，适用于便携式设备如智能手机、平板电脑和笔记本电脑中的电源管理单元（PMU），以实现快速响应和低静态功耗。
　　在电机驱动领域，该器件可用于小型直流电机或步进电机的H桥驱动电路中，承担高速开关任务，因其快速的开关特性和良好的热稳定性而表现优异。此外，在热插拔控制器和电源排序电路中，UVR2E331MRD6可作为主开关元件，提供过流保护和软启动功能，防止系统上电时产生冲击电流。
　　通信基础设施设备如路由器、交换机和基站电源模块中，该MOSFET用于POL（Point-of-Load）转换器，满足数字IC（如FPGA、ASIC、微处理器）对核心电压的精确和高效供电需求。在工业自动化控制系统中，它也被用于PLC模块、传感器电源和隔离式电源前端的同步整流部分。
　　由于其封装紧凑且性能优越，UVR2E331MRD6同样适用于空间受限的设计场景，如无人机、可穿戴设备和物联网终端设备的电源管理方案。总体而言，凡是对效率、尺寸和热性能有较高要求的低压大电流开关应用，均可考虑采用此款MOSFET。

SiR340DP-T1-GE3,SiR340DP,SiR340DP-T1-E3