时间：2025/10/8 5:14:01
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UVR2E2R2MED 是一款由 Vishay Siliconix 生产的表面贴装瞬态电压抑制二极管（TVS 二极管），专门设计用于保护敏感电子设备免受瞬态电压事件的影响，例如静电放电（ESD）、电感负载切换、雷击感应和其它突发性电压浪涌。该器件属于 UniDirectional TVS Diode 系列，具有单向击穿特性，适用于需要对正向过压进行精确钳位的应用场景。UVR2E2R2MED 采用紧凑的 SMC（DO-214AB）封装，具备较高的功率处理能力，在短时间内可吸收大量能量而不会损坏。其主要优势在于快速响应时间（通常在皮秒级）、低动态电阻以及稳定的钳位性能，确保被保护电路在遭遇高压瞬变时仍能正常运行。此外，该器件符合 RoHS 指令要求，并通过了 AEC-Q101 汽车级认证，适合在严苛环境下的工业控制、汽车电子及通信系统中使用。
该型号的命名规则中，“UVR”代表超低漏电流单向 TVS，“2R2”表示标称击穿电压为 2.2V，“MED”可能指特定的电压容差等级或产品系列标识。实际选型时应参考官方数据手册确认具体参数。UVR2E2R2MED 特别适用于低电压供电系统中的电源线或信号线保护，如 USB 接口、GPIO 引脚、传感器线路等，能够在不影响正常信号传输的前提下提供可靠的过压防护。由于其较低的击穿电压，该器件常用于 3.3V 或更低逻辑电平系统的 ESD 抑制。
类型：单向TVS二极管
封装：SMC（DO-214AB）
反向关态电压（VRWM）：2.0V
击穿电压（VBR）：最小2.2V，最大2.44V
测试电流（IT）：1mA
峰值脉冲电流（IPP）：24.4A
最大钳位电压（VC）：6.0V
峰值脉冲功率（PPPM）：1500W
工作结温范围（TJ）：-55°C ~ +150°C
低漏电流：典型值0.1μA
响应时间：≤1ps
UVR2E2R2MED 具备卓越的瞬态电压抑制能力，其核心特性之一是超低的反向待机电压（VRWM 为 2.0V），使其非常适合应用于现代低电压、低功耗的电子系统中，尤其是在 1.8V 至 3.3V 的电源轨上提供有效的过压保护。其击穿电压范围为 2.2V 至 2.44V，在施加 1mA 测试电流时能够稳定触发，确保在电压略微超过正常工作范围时迅速进入雪崩导通状态，将多余的能量引导至地，从而保护后级电路。这种精确且可重复的击穿行为得益于先进的硅 PN 结制造工艺，保证了器件在多次瞬态冲击下的长期可靠性。
该 TVS 二极管的最大钳位电压仅为 6.0V，在承受高达 24.4A 的峰值脉冲电流时仍能有效限制电压上升幅度，防止下游 IC 因过压而损坏。同时，其额定峰值脉冲功率达到 1500W（基于 8/20μs 电流波形），表明其具备强大的能量吸收能力，可在极端 ESD 或浪涌事件中提供坚固防护。此外，UVR2E2R2MED 拥有极低的漏电流（典型值 0.1μA），即使在高温环境下也能保持良好的关断特性，避免因漏电导致系统功耗增加或误动作，这对电池供电设备尤为重要。
响应时间方面，该器件的反应速度可达皮秒级别（≤1ps），远快于传统的过压保护元件如压敏电阻或气体放电管，能够在瞬态电压上升初期就启动保护机制，最大限度减少对敏感电路的影响。SMC 封装不仅提供了良好的散热性能，还支持自动化贴片生产，适用于高密度 PCB 设计。器件符合 IEC 61000-4-2（ESD ±15kV 接触放电）、IEC 61000-4-4（电快速瞬变脉冲群）等电磁兼容标准，广泛用于消费类电子产品、便携式设备和车载信息娱乐系统中。
UVR2E2R2MED 主要应用于各类需要高等级静电放电（ESD）和瞬态电压保护的电子设备中。典型应用场景包括便携式消费类电子产品中的 USB 端口、HDMI 接口、耳机插孔等高速信号线的 ESD 防护；在智能手机和平板电脑中用于保护摄像头模块、触摸屏控制器和传感器接口免受人为静电损害。由于其低击穿电压特性，特别适合用于 1.8V、2.5V 和 3.3V 逻辑电平系统的电源线或 I/O 引脚保护，例如微控制器（MCU）、FPGA、ASIC 等芯片的 GPIO 口防反接或误操作引起的电压尖峰。
在汽车电子领域，该器件可用于车载导航系统、倒车雷达、车内照明控制单元以及 CAN/LIN 总线节点的瞬态抑制，满足严苛的 AEC-Q101 可靠性要求。工业控制系统中，它常被部署于 PLC 输入输出模块、RS-232/RS-485 通信接口、传感器信号调理电路中，以抵御来自电机启停、继电器切换等产生的感性负载反电动势。此外，在医疗设备、物联网终端和无线通信模块中，UVR2E2R2MED 也发挥着关键作用，保障设备在复杂电磁环境下的稳定运行。
SMAJ2.2A-TR
