产品类型：TVS二极管阵列
　　通道数：2
　　极性：双向
　　击穿电压（V_BR）：3.8V（最小值）
　　反向关断电压（V_RWM）：3.3V
　　钳位电压（V_C）：10V（典型值，Ipp = 1A）
　　峰值脉冲电流（I_pp）：20A（单脉冲，8/20μs波形）
　　峰值脉冲功率（P_pk）：200W（8/20μs）
　　漏电流（I_R）：小于1μA（典型值）
　　电容值（C_j）：15pF（典型值，f = 1MHz）
　　工作结温范围（T_J）：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：DFN-2L (SOD-962)

UVR2AR33MDD的核心特性之一是其双向保护能力，这意味着它能够有效应对正向和负向的瞬态电压冲击，特别适用于可能存在反向电压波动或交流耦合信号路径的应用场合。这种双向结构通过内部对称的PN结设计实现，在受到超过击穿电压的瞬态电压时迅速导通，将多余能量泄放到地，从而保护后端IC不受损坏。该器件的低动态电阻和快速响应时间（通常在皮秒级别）使其能够在纳秒级的ESD事件中迅速动作，限制电压上升幅度，确保被保护线路的安全。
　　另一个关键优势在于其极低的结电容（典型值仅为15pF），这对于高速信号传输至关重要。在USB、HDMI、RS-485、CAN总线等高频接口中，过高的寄生电容会导致信号衰减、反射和失真，影响通信质量。UVR2AR33MDD凭借其优化的半导体工艺，在保持强大保护能力的同时最大限度地减少了对信号完整性的干扰，使得它成为高速数据线路的理想选择。
　　此外，该器件采用DFN-2L超小型封装，尺寸通常仅为1mm x 1.6mm左右，适合空间受限的便携式设备，如智能手机、平板电脑和可穿戴设备。其坚固的结构设计结合符合AEC-Q101的汽车级认证，也使其能在高温、振动和湿度变化等恶劣环境下长期可靠工作，广泛用于车载信息娱乐系统、ADAS传感器接口和车身控制模块中。整体而言，UVR2AR33MDD在性能、尺寸与可靠性之间实现了良好平衡，是一款适用于多领域过压保护的高性能TVS解决方案。

UVR2AR33MDD常用于各类需要抗静电和浪涌保护的电子系统中，尤其适合高速数据通信接口的防护。在便携式消费类电子产品中，例如智能手机和平板电脑，它可用于保护耳机插孔、USB Type-C端口、触摸屏控制器及其他外部连接器引脚免受人体模型（HBM）或机器模型（MM）ESD事件的影响。在工业自动化领域，该器件可部署于PLC输入输出模块、现场总线收发器（如RS-485/422）以及传感器接口电路中，抵御工厂环境中常见的电快速瞬变（EFT）干扰。
　　在汽车电子方面，UVR2AR33MDD因其AEC-Q101认证而被广泛应用于车载网络节点，如CAN FD总线、LIN总线以及摄像头模组的数据线保护。这些系统经常暴露在点火噪声、负载突降（load dump）感应电压和谐振引起的瞬态干扰下，使用该TVS器件可显著提升系统的电磁兼容性（EMC）表现和长期稳定性。此外，在医疗设备中，特别是便携式监护仪或诊断仪器的人机交互接口上，也需要此类低电容、高可靠性的保护元件来满足严格的安规和抗扰度要求。
　　由于其双通道双向设计，UVR2AR33MDD也可用于差分对信号线的共模与差模过压保护，比如Ethernet PHY接口或LVDS链路。在这些应用中，两个通道可以分别保护一对差分线，确保两侧信号同步响应瞬态事件，避免因保护器件响应不一致而导致的信号失衡问题。总之，该器件适用于任何对信号速率、封装尺寸和保护效能有综合要求的现代电子设计场景。

SM712-02MTD
　　TPD2E007DPYR
　　SP1205-04UTG