型号：UVK2G010MED1TD
　　类型：N沟道MOSFET
　　封装：PowerPAK SO-8L
　　通道数：单通道
　　漏源电压(VDSS)：20V
　　栅源电压(VGS)：±12V
　　连续漏极电流(ID)：10.8A
　　脉冲漏极电流(ID_pulse)：43A
　　导通电阻(RDS(on)_max)：10.8mΩ @ VGS=4.5V
　　导通电阻(RDS(on)_max)：8.7mΩ @ VGS=10V
　　栅极电荷(Qg)：9.5nC @ VGS=10V
　　输入电容(Ciss)：580pF @ VDS=10V
　　反向恢复时间(trr)：16ns
　　工作结温范围(Tj)：-55℃ ~ +150℃
　　阈值电压(VGS(th))：0.8V ~ 1.4V

UVK2G010MED1TD 采用了 Vishay 先进的 TrenchFET 技术，这种技术通过优化的沟槽栅结构显著降低了器件的导通电阻和寄生电容，从而提升了开关速度并减少了能量损耗。其超低的 RDS(on) 值在同类产品中处于领先水平，在 4.5V 栅压下仅为 10.8mΩ，而在 10V 栅压下进一步降低至 8.7mΩ，这使得它在大电流应用中能够有效减少 I2R 损耗，提升系统效率。此外，该器件具有非常低的栅极电荷（Qg = 9.5nC），这意味着驱动电路所需的能量更少，有助于降低控制器的功耗，并加快开关响应时间，适用于高频 PWM 控制场景。
　　该 MOSFET 还具备优异的热性能，得益于 PowerPAK SO-8L 封装的高效散热设计，其热阻（RθJC）较低，能够将芯片产生的热量快速传导至 PCB，避免局部过热导致性能下降或失效。这一特性使其在紧凑型电源模块中表现出色，即使在持续高负载条件下也能保持稳定运行。同时，其输入电容（Ciss）仅为 580pF，有助于减少高频开关过程中的动态损耗，提升整体能效。
　　器件的阈值电压范围为 0.8V 至 1.4V，确保了在低电压逻辑信号下的可靠开启，兼容现代低压控制 IC 输出。反向恢复时间短（trr = 16ns），说明其体二极管具有较快的关断能力，可减少在同步整流等应用中的反向恢复损耗和电压尖峰风险。此外，该器件经过严格测试，符合 AEC-Q101 汽车级标准，具备出色的抗湿性、机械强度和长期可靠性，适用于车载信息娱乐系统、ADAS 电源模块等对稳定性要求极高的场合。

UVK2G010MED1TD 广泛应用于需要高效能、小尺寸功率开关的电子系统中。典型应用包括同步降压转换器中的上下桥臂开关，尤其适合作为主控 DC-DC 变换器的低边同步整流器，因其低 RDS(on) 和低 Qg 特性可显著提升转换效率并减少发热。在笔记本电脑、平板电脑和服务器的主板电源管理单元中，该器件常用于 CPU/GPU 核心供电的多相 VRM 架构中，支持动态电压调节和高瞬态响应需求。
　　此外，它也适用于电池供电设备中的负载开关和热插拔控制器，能够实现快速通断和过流保护功能，防止系统启动时的浪涌电流冲击。在便携式消费电子产品如智能手机、移动电源和 USB PD 快充模块中，该 MOSFET 可用于电源路径管理，优化充电与放电效率。工业领域中，可用于 PLC 模块、传感器供电单元和电机驱动电路中的低端开关元件。
　　由于其通过 AEC-Q101 认证，该器件也可用于汽车电子系统，例如车载摄像头、LED 驱动电源、车身控制模块和电动助力转向系统的辅助电源转换电路。其宽工作温度范围（-55°C 至 +150°C）确保了在极端环境下的稳定运行。总之，无论是在高频率开关电源、便携式设备还是汽车电子中，UVK2G010MED1TD 都能提供可靠且高效的功率开关解决方案。

SiR142DP-T1-GE3
　　AOZ5215AIJ
　　FDMC86122