型号：UVK2C100MPD
　　类型：N沟道
　　最大漏源电压（VDS）：20 V
　　最大连续漏极电流（ID）：16.8 A
　　导通电阻（RDS(on)）：根据栅源电压不同分为多个档位，典型值在VGS = 4.5 V时约为9.7 mΩ，在VGS = 2.5 V时约为13.5 mΩ
　　栅极阈值电压（VGS(th)）：典型值为1.0 V，范围一般为0.6 V至1.3 V
　　输入电容（Ciss）：典型值为580 pF
　　输出电容（Coss）：典型值为210 pF
　　反向恢复时间（trr）：不适用（属于单极性器件）
　　工作结温范围（TJ）：-55 °C 至 +150 °C
　　封装形式：PowerPAK SO-8L
　　安装类型：表面贴装（SMD）

UVK2C100MPD采用了Vishay专有的TrenchFET技术，这种先进的制造工艺使得器件能够在非常小的芯片尺寸上实现极低的导通电阻，同时保持较高的电流密度和优异的开关性能。该技术通过优化沟道结构和掺杂分布，显著降低了RDS(on) × Qg（导通电阻与栅极电荷的乘积），这是衡量MOSFET综合性能的关键指标之一。因此，即使在低输入电压条件下（如3.3 V或更低），UVK2C100MPD也能高效地驱动负载，减少能量损失，延长电池寿命。
　　该器件具有出色的热稳定性，得益于PowerPAK SO-8L封装设计，其底部带有暴露的焊盘，可以直接连接到PCB上的大面积铜箔以增强散热能力。相比传统的SO-8封装，PowerPAK版本能将热阻降低约30%-40%，从而允许更高的持续工作电流而不至于过热损坏。此外，该封装还具备良好的机械强度和抗湿性，适合回流焊接工艺，并能在恶劣环境下长期可靠运行。
　　UVK2C100MPD支持逻辑电平驱动，仅需2.5 V至4.5 V的栅极电压即可完全导通，兼容大多数现代微控制器和逻辑IC的输出电平，无需额外的电平转换电路。这不仅简化了系统设计，也减少了外围元件数量，有助于降低成本和PCB空间占用。其低栅极电荷（Qg）和米勒电荷（Qgd）使其非常适合高频开关应用，例如同步整流、多相降压变换器和负载开关控制等场景。
　　该MOSFET还具备较强的抗雪崩能力和良好的dv/dt抑制能力，能够在瞬态过压或短路情况下维持一定的耐受性，提升了系统的鲁棒性。制造商对其进行了严格的可靠性验证，包括高温反向偏压测试（HTRB）、高温栅极偏压测试（HTGB）和温度循环测试等，确保器件在实际应用中的长期稳定性。

UVK2C100MPD因其高性能和小型化特点，被广泛应用于多种电源管理场景。在便携式消费类电子产品中，如智能手机、平板电脑和超极本，常用于电池电源路径管理和负载开关控制，能够快速响应系统指令，实现对不同功能模块的上电与断电切换，从而优化能耗表现。在这些应用中，低导通电阻意味着更少的压降和发热，有助于提升续航能力和用户体验。
　　在服务器和通信设备中，该器件可用于多相电压调节模块（VRM）或DC-DC降压转换器的同步整流部分。由于这类系统通常要求高效率、高功率密度和快速动态响应，UVK2C100MPD凭借其优异的开关特性和热性能，能够满足严苛的设计需求。特别是在轻载和重载之间频繁切换的应用场合，其低静态电流和快速开启/关断能力可以显著提升转换效率。
　　此外，该MOSFET还可用于电机驱动电路、LED驱动电源和热插拔控制器中。例如，在小型直流电机控制中，作为低端开关使用时，可实现精确的启停控制和制动功能；而在LED背光驱动中，则可用于恒流调节或调光控制。由于其具备良好的线性工作区控制能力，也可用于模拟开关或线性稳压辅助电路中。
　　工业自动化和汽车电子领域也是其潜在应用方向，尤其是在48 V轻混系统或车载信息娱乐系统的低压电源管理中，UVK2C100MPD能够提供稳定的功率开关能力，并适应较宽的环境温度变化。随着电子产品向更高集成度和更低功耗方向发展，此类高性能MOSFET的需求将持续增长。

SiSS108DN-T1-GE3
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