您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > UVK2A2R2MDD

UVK2A2R2MDD 发布时间 时间:2025/10/6 23:07:23 查看 阅读:4

UVK2A2R2MDD是一款由Vishay Siliconix生产的表面贴装瞬态电压抑制二极管(TVS Diode),专为保护敏感电子设备免受瞬态电压事件(如静电放电ESD、电感负载切换、雷击感应等)的影响而设计。该器件采用先进的半导体工艺制造,具有极低的钳位电压、快速响应时间和高浪涌电流承受能力,适用于多种需要高可靠性保护的应用场景。其小型化封装不仅节省了PCB空间,还便于在高密度电路板上进行自动化装配。UVK2A2R2MDD属于双向TVS二极管,意味着它可以对正负方向的瞬态电压提供对称保护,特别适合用于交流信号线路或可能遭遇反向电压冲击的直流线路中。该器件符合RoHS和无卤素要求,支持绿色环保生产,并通过了AEC-Q101车规级认证,表明其具备在汽车电子严苛环境中长期稳定工作的能力。由于其出色的电气性能和可靠性,UVK2A2R2MDD广泛应用于工业控制、通信接口、消费类电子产品以及车载系统中的电源线和信号线保护。
  该型号命名遵循Vishay的标准编码规则:'UVK'代表超小型表面贴装TVS系列,'2A'表示反向截止电压为2.2V,'2R2'对应标称击穿电压约为2.2V,'MD'可能指代特定的封装形式(如SMC封装的小尺寸变体),'D'通常表示双向极性配置。这种命名方式有助于工程师快速识别器件的关键参数。此外,该器件在正常工作状态下呈现高阻抗特性,几乎不消耗系统功率;当瞬态过压发生时,能够在皮秒级时间内迅速导通,将多余能量分流至地,从而有效钳制输出电压,保护后级集成电路(IC)免受损坏。

参数

类型:双向TVS二极管
  反向截止电压(VRWM):2.2 V
  击穿电压(VBR):2.44 V @ 1 mA
  最大钳位电压(VC):5.5 V @ 3.7 A
  峰值脉冲电流(IPP):3.7 A
  峰值脉冲功率(PPPM):200 W @ 8/20 μs波形
  漏电流(IR):小于1 μA @ VRWM
  工作结温范围(TJ):-55 °C 至 +150 °C
  存储温度范围:-55 °C 至 +150 °C
  封装形式:SMC(DO-214AB)表面贴装
  极性:双向

特性

UVK2A2R2MDD的核心特性之一是其卓越的瞬态响应能力和高效的能量吸收性能。该TVS二极管能够在极短的时间内响应高达200W的瞬态脉冲功率,适用于IEC 61000-4-2 Level 4(±8kV接触放电)和IEC 61000-4-5标准所规定的浪涌测试条件。其低击穿电压(2.44V)和钳位电压(5.5V)确保了在保护低压逻辑电路(如3.3V或2.5V供电的微控制器、传感器接口、数据转换器等)时不会因过高的残压而导致后续元件损坏。同时,极低的漏电流(<1μA)在待机或低功耗模式下几乎不影响系统能耗,这对于电池供电设备尤为重要。
  另一个显著特点是其双向结构设计,使其能够应对正负两个方向的电压瞬变,非常适合用于差分信号线(如RS-485、CAN总线)、音频线路或未明确极性的电源轨保护。相比单向TVS,双向型号避免了因极性接反而导致保护失效的风险,在实际布线中更具灵活性。此外,SMC封装提供了良好的热传导性和机械稳定性,能够在高温环境下持续工作而不降低可靠性。该器件经过严格的可靠性测试,包括高温反偏(HTRB)、温度循环(TC)、高压蒸煮(PCT)等,确保在恶劣环境下的长期稳定性。
  Vishay作为全球领先的分立半导体制造商,其TVS产品线以高质量和一致性著称。UVK2A2R2MDD符合AEC-Q101汽车级认证,表明其已通过一系列应力测试,适用于发动机控制单元(ECU)、车载信息娱乐系统、ADAS传感器等关键汽车电子模块。此外,该器件具备优异的寄生参数表现,结电容较低(典型值约300pF),因此在高速信号路径中引入的信号失真较小,可用于中速通信接口的保护。综合来看,UVK2A2R2MDD是一款兼具高性能、高可靠性和紧凑尺寸的理想瞬态保护解决方案,尤其适用于对空间和安全性要求较高的现代电子系统。

应用

UVK2A2R2MDD广泛应用于多个领域的电路保护设计中。在汽车电子方面,它常用于保护车载网络中的CAN总线、LIN总线和FlexRay通信线路,防止由于电源波动、负载突降或电磁干扰引发的电压尖峰损坏收发器芯片。此外,在电池管理系统(BMS)、车身控制模块(BCM)和传感器供电线路中也常见其身影,用于提升系统的EMI/EMC兼容性与运行稳定性。
  在工业自动化领域,该器件被部署于PLC输入/输出端口、人机界面(HMI)触摸屏信号线、编码器反馈线路等位置,抵御工厂环境中常见的电感负载开关产生的反电动势和静电放电影响。对于通信设备,如路由器、交换机和基站模块,UVK2A2R2MDD可用于保护以太网PHY接口、串行通信端口(如RS-232/RS-485)以及USB供电线路,保障数据传输的完整性与设备的连续运行。
  在消费类电子产品中,该TVS二极管可用于智能手机、平板电脑、可穿戴设备中的充电接口、耳机插孔、摄像头模组连接器等易受人体ESD影响的部位。其小型SMC封装便于集成到轻薄设备内部,且不会显著增加整体成本。此外,在医疗设备中,尤其是便携式监护仪、血糖仪等低电压精密仪器中,UVK2A2R2MDD可有效防止操作人员带来的静电对敏感模拟前端造成损伤,提高产品安全等级。总之,凡是存在瞬态电压风险且工作电压较低的场合,UVK2A2R2MDD都是一种可靠且经济的保护选择。

替代型号

SMBJ2.2A
  TPD2E2U06
  ESD9L5.0ST5G

UVK2A2R2MDD推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价

UVK2A2R2MDD资料 更多>

  • 型号
  • 描述
  • 品牌
  • 阅览下载

UVK2A2R2MDD参数

  • 制造商Nichicon
  • 产品种类铝质电解电容器 - 带引线
  • 电容2.2 uF
  • 容差20 %
  • 电压额定值100 Volts
  • 工作温度范围- 40 C to + 85 C
  • 端接类型Radial
  • 尺寸5 mm Dia. x 11 mm L
  • 产品General Purpose Electrolytic Capacitors
  • 引线间隔2 mm
  • 漏泄电流6.6 uAmps
  • 纹波电流30 mAmps
  • 系列VK
  • 工厂包装数量200