型号：UVK2A010MDD
　　通道类型：P沟道
　　最大漏源电压(VDS)：-20V
　　最大栅源电压(VGS)：±12V
　　连续漏极电流(ID) @ 25°C：-10.7A
　　脉冲漏极电流(IDM)：-36A
　　导通电阻(RDS(on)) @ VGS = -4.5V：9.7mΩ
　　导通电阻(RDS(on)) @ VGS = -2.5V：13.5mΩ
　　栅极电荷(Qg) @ VGS = -4.5V：10nC
　　输入电容(Ciss)：775pF
　　开启延迟时间(Td(on))：10ns
　　关断延迟时间(Td(off))：19ns
　　反向恢复时间(Trr)：23ns
　　工作结温范围：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：PowerPAK SO-8L Dual-Clip

UVK2A010MDD采用Vishay先进的TrenchFET技术，这种垂直沟道结构显著降低了单位面积上的导通电阻，从而实现了超低的RDS(on)值，在同类P沟道MOSFET中处于领先水平。其在-4.5V栅压下的典型导通电阻仅为9.7mΩ，而在更低的-2.5V驱动条件下仍可保持13.5mΩ的低阻态，这使得该器件能够在低压逻辑控制信号直接驱动的应用中表现出色，无需额外的电平转换或驱动电路。这一特性特别适用于由电池供电的移动设备，如智能手机、平板电脑和便携式医疗仪器，其中电源管理系统需要在有限的空间内实现高效的能量传输。
　　该器件的另一个关键特性是其极低的栅极电荷（Qg = 10nC）和输入电容（Ciss = 775pF），这些参数直接影响开关损耗和整体转换效率。在高频DC-DC变换器中，尤其是同步降压拓扑结构中，主开关管和续流管均需频繁切换，此时低Qg意味着更小的驱动功耗和更快的开关响应速度，有助于提高系统整体效率并减少热量积聚。同时，其输出电容（Coss）较低，进一步减小了关断过程中的能量损耗，提升了轻载工况下的能效表现。
　　UVK2A010MDD还具备良好的热性能，得益于PowerPAK SO-8L Dual-Clip封装的双面散热设计，热量可以从器件顶部和底部同时传导至PCB，有效降低热阻（RθJA）。相比传统SO-8封装，这种结构大幅提升了功率密度和长期运行的可靠性。此外，该MOSFET具有较强的抗雪崩能力和稳健的ESD防护能力，增强了在瞬态过压和恶劣电磁环境下的耐受性。内置体二极管的反向恢复时间较短（Trr = 23ns），减少了反向恢复电荷（Qrr），避免了因反向电流引起的额外损耗，这对于防止交叉导通和提升系统稳定性至关重要。综合来看，UVK2A010MDD是一款兼顾高性能、高可靠性和小型化的P沟道MOSFET，适合对尺寸、效率和热管理有严格要求的应用场景。

UVK2A010MDD广泛应用于各类需要高效电源管理的电子系统中。其主要应用场景包括同步整流型DC-DC降压转换器，特别是在多相VRM（电压调节模块）和POL（点负载）电源中作为上管或下管使用。由于其低导通电阻和快速开关特性，能够显著降低传导损耗和开关损耗，从而提升整体电源效率，延长电池续航时间。此外，该器件常用于负载开关电路，用于控制不同功能模块的供电通断，例如在笔记本电脑中控制显示屏背光、硬盘或USB端口的电源分配，实现精细化的功耗管理。
　　在电池管理系统（BMS）和热插拔控制器中，UVK2A010MDD也被用作理想二极管或电源路径控制器，利用其低RDS(on)和可控的开关行为替代传统的肖特基二极管，从而减少正向压降和发热问题。这类应用常见于服务器电源、通信基站和工业控制设备中，要求高可靠性和低维护成本。另外，该MOSFET还可用于H桥电机驱动电路中的低端开关，或者在逆变器和UPS系统中执行电源切换功能。
　　由于其封装紧凑且支持双面散热，UVK2A010MDD非常适合高度集成的便携式消费电子产品，如智能手机、平板电脑、可穿戴设备等，这些产品对PCB空间利用率和热管理极为敏感。同时，其宽泛的工作温度范围（-55°C 至 +150°C）使其也能适应汽车电子环境下的应用需求，例如车载信息娱乐系统、ADAS传感器模块和车身控制单元中的电源管理部分。总之，凡是对效率、尺寸和热性能有较高要求的P沟道MOSFET应用场景，UVK2A010MDD都是一个极具竞争力的选择。

SiR612DP-T1-GE3
　　AO4479
　　FDS6680A
　　NVMFS4C02NL