UVK105CH030JW-F 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,主要用于高电压、大电流的应用场景。该芯片采用先进的沟槽式 MOSFET 技术制造,具有较低的导通电阻和极高的开关速度,从而优化了效率和热性能。
此型号专为汽车电子、工业控制和电源管理等应用而设计,其封装形式适合表面贴装工艺,确保了更高的可靠性和耐用性。
最大漏源电压:1050V
连续漏极电流:30A
导通电阻:0.07Ω
栅极电荷:20nC
开关频率:100kHz
结温范围:-55℃ 至 +175℃
UVK105CH030JW-F 的主要特性包括:
1. 极低的导通电阻,在高电流工作条件下能显著减少功耗。
2. 高击穿电压(1050V),适用于高压环境下的应用。
3. 内置快速恢复二极管,提升了整体效率。
4. 出色的热稳定性和可靠性,适合恶劣的工作条件。
5. 符合 RoHS 标准,环保且支持无铅焊接工艺。
6. 优秀的 ESD 防护能力,提高了抗干扰性能。
UVK105CH030JW-F 广泛应用于以下领域:
1. 汽车电子中的 DC-DC 转换器和电机驱动。
2. 工业设备中的逆变器和开关电源。
3. 太阳能逆变器和储能系统。
4. 高压 LED 驱动和照明系统。
5. 不间断电源(UPS)和其他需要高效功率转换的场景。
UVK105CH030JW-E, IRFP260N, STP120NF75