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UVK105CH030JW-F 发布时间 时间:2025/6/16 22:41:18 查看 阅读:5

UVK105CH030JW-F 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,主要用于高电压、大电流的应用场景。该芯片采用先进的沟槽式 MOSFET 技术制造,具有较低的导通电阻和极高的开关速度,从而优化了效率和热性能。
  此型号专为汽车电子、工业控制和电源管理等应用而设计,其封装形式适合表面贴装工艺,确保了更高的可靠性和耐用性。

参数

最大漏源电压:1050V
  连续漏极电流:30A
  导通电阻:0.07Ω
  栅极电荷:20nC
  开关频率:100kHz
  结温范围:-55℃ 至 +175℃

特性

UVK105CH030JW-F 的主要特性包括:
  1. 极低的导通电阻,在高电流工作条件下能显著减少功耗。
  2. 高击穿电压(1050V),适用于高压环境下的应用。
  3. 内置快速恢复二极管,提升了整体效率。
  4. 出色的热稳定性和可靠性,适合恶劣的工作条件。
  5. 符合 RoHS 标准,环保且支持无铅焊接工艺。
  6. 优秀的 ESD 防护能力,提高了抗干扰性能。

应用

UVK105CH030JW-F 广泛应用于以下领域:
  1. 汽车电子中的 DC-DC 转换器和电机驱动。
  2. 工业设备中的逆变器和开关电源。
  3. 太阳能逆变器和储能系统。
  4. 高压 LED 驱动和照明系统。
  5. 不间断电源(UPS)和其他需要高效功率转换的场景。

替代型号

UVK105CH030JW-E, IRFP260N, STP120NF75

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UVK105CH030JW-F参数

  • 标准包装1
  • 类别电容器
  • 家庭陶瓷
  • 系列UVK
  • 电容3.0pF
  • 电压 - 额定50V
  • 容差±5%
  • 温度系数C0H
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 工作温度-55°C ~ 125°C
  • 应用RF,微波,高频
  • 额定值-
  • 封装/外壳0402(1005 公制)
  • 尺寸/尺寸0.039" L x 0.020" W(1.00mm x 0.50mm)
  • 高度 - 座高(最大)-
  • 厚度(最大)0.022"(0.55mm)
  • 引线间隔-
  • 特点高 Q 值,低损耗
  • 包装Digi-Reel®
  • 引线型-
  • 其它名称587-1018-6