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UUQ1V4R7MCL1GB 发布时间 时间:2025/10/7 23:09:26 查看 阅读:17

UUQ1V4R7MCL1GB 是由三星(Samsung)生产的一款嵌入式多媒体卡(eMMC)存储芯片,广泛应用于移动设备、嵌入式系统和消费类电子产品中。该器件集成了NAND闪存和控制器,提供高可靠性、高性能的存储解决方案。其主要特点是具备较高的读写速度、低功耗设计以及良好的温度适应性,适用于智能手机、平板电脑、物联网设备、车载信息娱乐系统等对存储性能和稳定性要求较高的场景。UUQ1V4R7MCL1GB 属于三星的eMMC 5.1系列产品,采用BGA封装形式,便于在紧凑型电路板上进行高密度布局。该芯片支持多种工作模式,包括高速模式和省电模式,能够在不同应用场景下实现性能与功耗的平衡。此外,它还具备错误校正(ECC)、坏块管理、磨损均衡等内置功能,有效提升了数据存储的可靠性和使用寿命。作为一款成熟的工业级存储解决方案,UUQ1V4R7MCL1GB 在全球范围内被众多OEM厂商广泛采用,并通过了严格的环境和耐久性测试,确保在复杂工作条件下仍能稳定运行。

参数

品牌:Samsung
  型号:UUQ1V4R7MCL1GB
  产品类型:eMMC
  接口标准:eMMC 5.1
  容量:64GB
  工作电压:2.7V ~ 3.6V
  封装类型:BGA
  引脚数:169
  最大数据传输速率:400MB/s
  工作温度范围:-25°C ~ +85°C
  存储温度范围:-40°C ~ +85°C
  NAND类型:TLC (Triple-Level Cell)
  是否原厂正品:是

特性

该eMMC芯片采用先进的TLC NAND闪存技术,在保证高存储密度的同时优化了成本效益。其内置的智能控制器支持动态磨损均衡和坏块管理算法,能够显著延长存储设备的使用寿命并提高数据完整性。控制器还集成了强大的硬件ECC纠错机制,可实时检测并纠正数据错误,确保在恶劣电磁环境或电源波动情况下的数据安全。
  在性能方面,UUQ1V4R7MCL1GB 支持双数据速率(DDR)模式,理论带宽可达400MB/s,满足高清视频录制、大型应用程序加载和多任务处理的需求。同时,该芯片具备快速启动功能,能够缩短系统开机时间,提升用户体验。其命令队列技术和预取机制进一步优化了随机读写性能,尤其适合频繁访问小文件的应用场景。
  功耗管理方面,该器件支持多种电源管理模式,包括待机模式、睡眠模式和深度睡眠模式,可根据主机系统的状态自动切换,最大限度地降低能耗。这对于电池供电的便携式设备尤为重要,有助于延长续航时间。
  在可靠性方面,该芯片通过了严格的JEDEC标准测试,具备良好的抗振动、抗冲击能力,并支持写保护、写使能/禁止等功能,防止意外数据丢失。此外,它还支持Secure Erase和Sanitize命令,满足数据安全擦除需求,适用于对隐私保护有较高要求的设备。
  制造工艺上,该产品采用先进的封装技术,确保信号完整性和热稳定性。169球BGA封装设计符合行业主流标准,便于自动化贴片生产和返修。整体设计遵循RoHS环保规范,不含铅等有害物质,符合现代电子产品绿色制造的要求。

应用

广泛用于智能手机和平板电脑中作为主存储介质,支持操作系统运行、应用程序安装和用户数据存储;在车载信息娱乐系统中用于存储导航地图、多媒体文件和系统固件,具备良好的温度适应性和长期稳定性;应用于工业控制设备和嵌入式终端,如POS机、自助服务终端、智能家居中枢等,提供可靠的本地存储方案;也可用于安防监控设备中的本地缓存存储,支持连续视频流的写入与回放;此外,在教育类电子设备、电子书阅读器和儿童智能设备中也有广泛应用,因其启动速度快、系统响应灵敏而受到青睐。

替代型号

KMNV7001DM_B211

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UUQ1V4R7MCL1GB参数

  • 制造商Nichicon
  • 产品种类铝质电解电容器-SMD
  • 电容4.7 uF
  • 容差20 %
  • 电压额定值35 Volts
  • 工作温度范围- 40 C to + 105 C
  • 尺寸4 mm Dia. x 5.4 mm L x 4.3 mm H
  • 产品Aluminum Electrolytic Capacitors
  • Capacitance - nF4700 nF
  • 损耗因数 DF0.13
  • 漏泄电流4 uAmps
  • 加载寿命1000 hr
  • 封装Bulk
  • 纹波电流15 mAmps
  • 系列UQ
  • 工厂包装数量2000
  • 端接类型SMD/SMT