时间：2025/5/21 11:16:49
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UTT80N10是一款N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件适用于高频开关应用和功率管理电路，具有较低的导通电阻和快速的开关速度。
其封装形式通常为TO-220或TO-252，这使得它在散热性能和安装灵活性方面表现出色。广泛应用于电源适配器、电机驱动、LED照明以及各类开关模式电源（SMPS）中。
最大漏源电压：100V
连续漏极电流：80A
导通电阻：4.5mΩ（典型值，在特定条件下）
栅极电荷：70nC
总电容：1350pF
工作结温范围：-55℃至+175℃
1. 超低导通电阻，有助于降低传导损耗并提高效率。
2. 快速开关特性，能够适应高频工作环境。
3. 高雪崩击穿能量能力，增强了器件的耐用性和可靠性。
4. 符合RoHS标准，环保设计。
5. 具备出色的热稳定性和电气性能，适用于严苛的工作条件。
1. 开关模式电源（SMPS）中的功率转换级。
2. 电机控制与驱动电路。
3. LED驱动器及调光系统。
4. 工业逆变器和不间断电源（UPS）。
5. 各类电池充电管理系统。
6. 汽车电子中的负载切换和保护电路。
IRF840, STP80NF10, FDN809N
