型号：UTT75N06G-TQ2-R
　　通道类型：N沟道
　　最大漏源电压(VDS)：60V
　　最大栅源电压(VGS)：±20V
　　连续漏极电流(ID)：75A @ 25°C
　　脉冲漏极电流(IDM)：300A
　　导通电阻(RDS(on))：4.5mΩ @ VGS=10V, ID=30A
　　导通电阻(RDS(on))：5.8mΩ @ VGS=4.5V, ID=30A
　　阈值电压(Vth)：2.0V ~ 3.0V
　　输入电容(Ciss)：4500pF @ VDS=30V
　　输出电容(Coss)：1400pF @ VDS=30V
　　反向恢复时间(Trr)：25ns
　　功耗(PD)：200W
　　工作结温范围(Tj)：-55°C ~ +175°C
　　封装形式：TO-252 (D-Pak)

UTT75N06G-TQ2-R采用先进的沟槽型MOSFET工艺，优化了载流子迁移路径，显著降低了导通电阻，从而减少了导通损耗，提高了整体能效。其超低的RDS(on)值在同类产品中表现出色，特别是在高电流应用中能够有效降低发热，提升系统稳定性。该器件在VGS=10V时的典型RDS(on)仅为4.5mΩ，在VGS=4.5V条件下也能保持5.8mΩ的低阻水平，说明其对逻辑电平驱动信号有良好兼容性，可直接由微控制器或驱动IC驱动，无需额外升压电路，简化了外围设计。
　　该MOSFET具备优异的开关特性，输入电容和输出电容经过优化匹配，使得开关速度较快，同时避免了过高的dv/dt导致的误触发问题。其反向恢复时间短至25ns，有助于减少体二极管反向恢复带来的能量损耗和电磁干扰，特别适合高频开关应用如同步整流、Buck/Boost转换器等。此外，器件内部结构经过优化，具有较低的栅极电荷（Qg），进一步降低了驱动损耗，提升了系统整体效率。
　　热性能方面，TO-252封装提供了良好的散热通道，结合芯片本身的高耐温能力（最高结温达175°C），使其能够在高温环境下长期稳定运行。器件还具备较强的雪崩能量承受能力，增强了在瞬态过压情况下的鲁棒性。静电放电（ESD）防护能力也得到加强，HBM模型下可承受超过2000V的静电冲击，提高了生产过程中的良率和使用安全性。综合来看，UTT75N06G-TQ2-R在导通损耗、开关速度、热管理与可靠性之间实现了良好平衡，是高性能功率开关的理想选择之一。

UTT75N06G-TQ2-R广泛应用于各类需要高效能、大电流切换能力的电力电子系统中。常见用途包括开关模式电源（SMPS），尤其是在中等功率等级的AC-DC和DC-DC转换器中作为主开关或同步整流管使用，能够显著提高电源转换效率并减少散热需求。在电池供电设备中，例如电动工具、便携式储能电源和无人机系统中，该器件可用于电池保护电路或马达驱动模块，实现快速响应和低功耗控制。
　　在电机驱动领域，UTT75N06G-TQ2-R可用于H桥或半桥拓扑结构中，驱动直流电机或步进电机，凭借其低导通电阻和高电流承载能力，确保电机启动扭矩充足且运行平稳。在太阳能逆变器或LED驱动电源中，该MOSFET也可作为功率开关元件，参与能量变换过程，提升系统的整体光电转换效率。
　　此外，它还适用于各种工业控制设备中的电源模块、服务器电源单元、笔记本电脑适配器以及电信设备的中间总线转换器。由于其支持表面贴装工艺，便于自动化生产，因此在大批量制造场景中具有明显优势。对于需要紧凑布局和高功率密度的设计，UTT75N06G-TQ2-R是一个可靠且高效的解决方案。

UTT75N06G-TQ2
　　AP75N06GP-HF
　　SI7455DP-T1-E3
　　IRF7473PBF
　　FDS7473