型号：UTT75N06G-S08-R
　　类型：N沟道增强型MOSFET
　　漏源电压（VDS）：60V
　　栅源电压（VGS）：±20V
　　连续漏极电流（ID）：75A @ 25°C
　　脉冲漏极电流（IDM）：300A
　　导通电阻（RDS(on)）：7.5mΩ @ VGS=10V, ID=37.5A
　　导通电阻（RDS(on)）：9.5mΩ @ VGS=4.5V, ID=37.5A
　　阈值电压（Vth）：2.0V ~ 3.0V
　　输入电容（Ciss）：4800pF @ VDS=30V, VGS=0V
　　输出电容（Coss）：1400pF @ VDS=30V, VGS=0V
　　反向传输电容（Crss）：350pF @ VDS=30V, VGS=0V
　　栅极电荷（Qg）：75nC @ VGS=10V, ID=75A
　　开启延迟时间（td(on)）：15ns
　　上升时间（tr）：45ns
　　关断延迟时间（td(off)）：35ns
　　下降时间（tf）：25ns
　　最大工作结温（Tj）：175°C
　　封装：TO-252 (DPAK)
　　安装类型：表面贴装

UTT75N06G-S08-R采用先进的沟槽栅极技术和优化的硅片设计，实现了极低的导通电阻与优异的开关性能之间的平衡。其典型RDS(on)仅为7.5mΩ（在VGS=10V时），大幅降低了导通状态下的功率损耗，有助于提高电源系统的转换效率并减少散热需求。该器件在VGS=4.5V时仍能保持9.5mΩ的低导通电阻，表明其在低电压驱动条件下依然具备出色的导通能力，适用于由逻辑电平信号直接驱动的应用场景，如同步整流或电池供电系统中的开关控制。
　　该MOSFET具备较高的电流承载能力，连续漏极电流可达75A（在25°C下），同时支持高达300A的脉冲电流，使其能够应对瞬态大电流负载，如电机启动或电容充电过程。其快速的开关响应特性（包括15ns的开启延迟时间和35ns的关断延迟时间）确保了在高频开关应用中仍能保持高效运行，减少开关损耗，提升系统动态响应能力。此外，器件的栅极电荷（Qg）仅为75nC，意味着驱动电路所需的能量较少，有利于降低驱动IC的负担并简化驱动设计。
　　UTT75N06G-S08-R还具备良好的热稳定性和可靠性，最大结温可达175°C，并通过了严格的可靠性测试，包括高温反偏（HTRB）、高压栅极应力（H3TRB）和温度循环等。其TO-252封装具有较低的热阻（约1.5°C/W，从结到外壳），便于通过PCB敷铜或加装散热片实现有效散热。该器件还内置了快速体二极管，具备一定的反向恢复能力，适用于桥式电路中的续流路径。综合来看，UTT75N06G-S08-R在性能、可靠性和成本之间取得了良好平衡，是现代高密度、高效率电源设计中的理想选择之一。

UTT75N06G-S08-R广泛应用于各类中高功率电源管理系统中。在开关电源（SMPS）领域，常用于主开关管或同步整流管，尤其适用于60V以下的直流输入系统，如通信电源、服务器电源和工业电源模块。由于其低导通电阻和高电流能力，该器件在DC-DC降压或升压转换器中表现出色，能够显著降低导通损耗，提高转换效率，满足节能和小型化的设计要求。
　　在电机驱动应用中，UTT75N06G-S08-R可用于H桥或半桥拓扑结构中的功率开关，驱动直流电机、步进电机或无刷电机，适用于电动工具、家用电器和工业自动化设备。其快速开关特性和高电流承载能力确保了电机启动和调速过程中的稳定性和响应速度。
　　此外，该器件也适用于逆变器系统，如太阳能微逆变器或UPS不间断电源中的DC-AC转换环节，承担能量切换功能。在电池管理系统（BMS）中，可作为充放电控制开关或负载开关使用，实现对电池组的安全管理和高效利用。由于其表面贴装封装形式，特别适合于需要自动贴片生产的消费电子产品，如笔记本电脑适配器、LED驱动电源和便携式储能设备。总体而言，UTT75N06G-S08-R凭借其高性能和高可靠性，已成为多种电力电子应用中的关键元器件。

UTT75N06-G
　　AP75N06GH
　　FQP75N06
　　STP75NF60Z
　　IRF75N06PBF