类型：N沟道增强型MOSFET
　　漏源电压（VDS）：100 V
　　连续漏极电流（ID）@25°C：6 A
　　脉冲漏极电流（IDM）：24 A
　　栅源电压（VGS）：±20 V
　　导通电阻（RDS(on)）@VGS=10V：≤ 0.13 Ω
　　导通电阻（RDS(on)）@VGS=4.5V：≤ 0.17 Ω
　　阈值电压（Vth）：典型值2.0 V，范围1.5~2.5 V
　　输入电容（Ciss）：典型值520 pF @ VDS=50V, VGS=0V
　　输出电容（Coss）：典型值120 pF
　　反向恢复时间（trr）：典型值28 ns
　　工作结温范围（Tj）：-55 °C ~ +150 °C
　　封装形式：DFN2.5x2.5-8L 或等效
　　极性：N-Channel
　　功耗（PD）：2.5 W（最大值，依赖PCB布局）

UTT6N10ZG-AA3-R采用先进的沟槽栅极工艺设计，显著降低了导通电阻RDS(on)，从而在大电流应用中减少了传导损耗，提高了系统的整体效率。该器件在VGS=10V时RDS(on)不超过130mΩ，在VGS=4.5V时也不超过170mΩ，表现出优异的低压驱动能力，尤其适合由3.3V或5V逻辑信号直接驱动的应用场景。这种低导通电阻特性使其在负载开关、同步整流和电池管理电路中能够有效减少发热，延长设备使用寿命。
　　该MOSFET具备良好的热性能，得益于其DFN2.5x2.5-8L封装内置的散热焊盘设计，能够通过PCB上的热过孔将热量高效传导至地层或散热区域，从而实现较低的热阻（θJA约为60°C/W，具体取决于布局）。这使得器件即使在较高环境温度下也能保持稳定运行，适用于紧凑型高密度电路板设计。
　　UTT6N10ZG-AA3-R具有较高的输入阻抗和极低的栅极驱动电流需求，有利于简化驱动电路设计，并降低控制器的负载压力。其栅极电荷Qg典型值为15nC（@VGS=10V），使开关速度较快，适用于频率高达数百kHz的开关电源应用。同时，输出电容和反向恢复电荷较小，有助于减少开关过程中的能量损耗，提高转换效率。
　　该器件还具备较强的抗静电（ESD）能力和一定的雪崩能量承受能力，增强了在瞬态过压和电流冲击下的可靠性。其工作结温范围从-55°C到+150°C，覆盖了绝大多数工业和消费类应用场景的需求。此外，产品符合RoHS指令，不含铅和镉等有害物质，支持绿色环保生产流程。

UTT6N10ZG-AA3-R广泛应用于各类需要高效、小型化功率开关的电子系统中。常见用途包括但不限于：便携式电子设备中的负载开关和电源路径管理，如智能手机、平板电脑和可穿戴设备；DC-DC降压或升压转换器中的主开关或同步整流管，用于提高电源转换效率；电池供电系统中的充放电控制电路，实现对锂电池的安全管理和能量优化；电机驱动电路中作为低边或高边开关，控制小型直流电机或步进电机的启停与方向切换。
　　此外，该器件也适用于LED照明驱动电源、USB电源开关、热插拔控制器、逆变器模块以及工业自动化控制系统中的继电器替代方案。由于其具备良好的开关特性和热稳定性，UTT6N10ZG-AA3-R在高频开关电源（SMPS）中表现优异，可用于构建高效的AC-DC适配器或DC-DC稳压模块。其小型封装特别适合空间受限的应用场合，例如超薄笔记本电脑、移动电源、智能家居传感器节点等高度集成的电子产品。
　　在汽车电子领域，虽然该器件并非专为AEC-Q101认证设计，但在非关键性的车载辅助电源系统中仍可使用，如车载充电器、车内照明控制或低功率电机驱动。总之，凡是需要一个100V耐压、6A电流承载能力、低导通电阻且体积小巧的N沟道MOSFET的场合，UTT6N10ZG-AA3-R都是一个极具竞争力的选择。

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