型号：UTT60N10MG-S08-R
　　通道类型：N沟道
　　最大漏源电压（Vds）：100V
　　最大栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：60A @ 25°C
　　脉冲漏极电流（Idm）：240A
　　功耗（Pd）：125W
　　导通电阻（Rds(on)）：6.8mΩ @ Vgs=10V, Id=30A
　　导通电阻（Rds(on)）：8.5mΩ @ Vgs=4.5V, Id=30A
　　阈值电压（Vth）：2.0V ~ 4.0V
　　输入电容（Ciss）：4500pF @ Vds=50V
　　输出电容（Coss）：1100pF @ Vds=50V
　　反向传输电容（Crss）：150pF @ Vds=50V
　　二极管正向电压（Vf）：1.4V
　　工作温度范围：-55°C ~ +175°C
　　存储温度范围：-55°C ~ +175°C
　　封装类型：SOP-8 with Exposed Pad

UTT60N10MG-S08-R采用了先进的沟槽栅极技术和优化的芯片结构设计，显著降低了导通电阻（Rds(on)），从而有效减少了导通损耗，提升了整体系统能效。其典型Rds(on)仅为6.8mΩ（在Vgs=10V条件下），即使在大电流负载下也能保持较低的温升，有助于提高电源系统的功率密度。该器件具有优异的开关性能，得益于较低的栅极电荷（Qg）和输出电容（Coss），能够实现快速的开关响应，适用于高频开关电源应用，如同步降压转换器或半桥拓扑电路中。
　　该MOSFET具备良好的热稳定性，其封装底部集成有暴露式散热焊盘，可通过PCB上的大面积铜箔实现高效散热，显著提升热传导效率，降低结到环境的热阻（Rth(j-a)）。这种设计使得器件在高功率持续工作状态下仍能维持可靠运行。同时，其宽泛的工作结温范围（最高可达+175°C）确保了在高温工业环境或密闭空间内的长期稳定性。
　　UTT60N10MG-S08-R还具备较强的抗雪崩能力和抗过载能力，内部体二极管具有较低的反向恢复时间与正向压降，适合用于需要频繁开关操作的应用场景。此外，该器件对静电放电（ESD）具有一定的防护能力，增强了生产过程中的鲁棒性。通过严格的可靠性测试，包括高温反向偏压（HTRB）、高温栅极偏压（HTGB）和功率循环测试，保证了其在各类严苛应用中的耐用性和一致性。

UTT60N10MG-S08-R广泛应用于各类中高功率电源管理系统中。典型应用场景包括同步整流式DC-DC降压变换器，尤其是在服务器、通信设备和嵌入式系统中的多相电压调节模块（VRM），其低Rds(on)和高电流承载能力可显著提升转换效率并减少热量积累。此外，在电动工具、无人机和轻型电动车的电机驱动电路中，该MOSFET可用于H桥或半桥拓扑结构，实现高效的电机启停与调速控制。
　　在LED照明驱动电源中，该器件可用于初级侧开关或次级同步整流，帮助提升整体光效并延长灯具寿命。其高频开关特性也使其适用于便携式充电设备、笔记本适配器及USB-PD快充模块中的功率级设计。在工业控制领域，如PLC模块、继电器替代方案和电磁阀驱动中，该MOSFET可作为高效、静音的固态开关使用，避免机械触点带来的磨损与延迟问题。
　　由于其SOP-8小型化封装与优良的散热设计，UTT60N10MG-S08-R特别适合空间受限但对性能要求较高的消费类电子产品和工业模块化设计。此外，在太阳能微型逆变器、储能系统BMS（电池管理系统）的充放电控制单元中，该器件也能发挥出色的能效表现和可靠性，满足绿色能源设备对长寿命和高安全性的需求。

UTT60N10MG-S08

SOP-8