型号：UTT50P10L
　　类型：N沟道增强型MOSFET
　　漏源电压(VDS)：100V
　　连续漏极电流(ID)：50A @ 25℃
　　脉冲漏极电流(IDM)：200A
　　栅源电压(VGS)：±20V
　　导通电阻(RDS(on))：10mΩ @ VGS=10V, ID=25A
　　导通电阻(RDS(on))：13mΩ @ VGS=4.5V, ID=25A
　　阈值电压(VGS(th))：2.0V ~ 4.0V
　　输入电容(Ciss)：4000pF @ VDS=50V
　　输出电容(Coss)：900pF @ VDS=50V
　　反向恢复时间(trr)：30ns
　　最大功耗(PD)：200W
　　工作结温(Tj)：-55℃ ~ +175℃
　　封装形式：TO-220/TO-220F

UTT50P10L采用先进的沟槽型场效应晶体管结构，通过优化的元胞设计和制造工艺，实现了极低的导通电阻RDS(on)，从而显著降低了在大电流应用中的导通损耗。其典型值在VGS=10V时仅为10mΩ，即便在较低的驱动电压4.5V下也能保持13mΩ的低阻水平，这使得该器件不仅适用于标准栅极驱动电路，也兼容低压逻辑驱动环境，提升了系统设计的灵活性。
　　该MOSFET具备优异的开关性能，得益于较低的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss），能够实现快速的开关响应，减少开关过程中的能量损耗，提高整体电源转换效率。同时，输出电容（Coss）和反向恢复电荷（Qrr）也经过优化，有效抑制了在高频开关应用中可能出现的电压尖峰和电磁干扰问题，增强了系统的EMI兼容性。
　　在可靠性方面，UTT50P10L具有高达175℃的最大工作结温，确保在高温环境下仍能稳定运行。器件内部采用了高质量的封装材料和焊接工艺，具备良好的热循环耐久性和机械强度。此外，其具备一定的雪崩能量承受能力，在突发过压或感性负载关断等异常工况下可提供额外保护，避免因瞬态高压导致器件永久损坏。
　　该器件还具备较强的抗浪涌电流能力，能够承受高达200A的脉冲漏极电流，适用于电机启动、电源上电冲击等瞬态大电流场景。综合来看，UTT50P10L在导通性能、开关速度、热稳定性和可靠性之间达到了良好平衡，是现代高效能功率系统中理想的开关元件之一。

UTT50P10L广泛应用于各类需要高效、大电流开关控制的电力电子系统中。常见于中高功率DC-DC变换器，特别是在同步整流拓扑结构中作为主开关或整流开关使用，能够显著降低导通损耗，提高转换效率。在电动汽车充电桩、电动工具、无人机电源管理系统中，该器件用于电池充放电回路的主控开关，凭借其低RDS(on)和高电流承载能力，保障了系统的高效率与安全性。
　　在电机驱动领域，UTT50P10L可用于H桥或三相逆变器电路中，作为功率开关元件驱动直流无刷电机（BLDC）或永磁同步电机（PMSM），其快速开关特性有助于实现精确的PWM调速控制，并减少电机运行时的发热。
　　此外，该器件也适用于工业电源、UPS不间断电源、太阳能逆变器、LED恒流驱动电源等设备中，作为主开关或同步整流管使用。在大功率适配器和服务器电源中，UTT50P10L可用于次级侧同步整流，替代传统肖特基二极管，大幅提升能效并降低散热需求。
　　由于其TO-220封装便于安装散热片，适合自然冷却或风冷环境，因此在中小功率工业控制模块、智能家电（如变频空调、洗衣机）的功率模块中也有广泛应用。总体而言，UTT50P10L凭借其高性能指标和高可靠性，已成为多种中高功率应用场景中的主流MOSFET选择之一。

UT50P10L
　　IRF3205
　　STP55NF10
　　IPB04N10N
　　FQP50N10