型号：UTT50P06G-TN3-R
　　通道类型：P沟道
　　最大漏源电压（VDS）：-60V
　　最大栅源电压（VGS）：±20V
　　最大连续漏极电流（ID）：-50A（TC=25℃）
　　最大脉冲漏极电流（IDM）：-160A
　　最大功耗（PD）：125W（TC=25℃）
　　导通电阻RDS(on)：40mΩ（@ VGS = -10V, ID = -25A）
　　导通电阻RDS(on)：50mΩ（@ VGS = -4.5V, ID = -20A）
　　阈值电压（VGS(th)）：-2.0V ~ -4.0V
　　栅极电荷（Qg）：75nC（@ VDS = -48V, ID = -50A）
　　输入电容（Ciss）：2300pF（@ VDS = -50V, VGS = 0V, f = 1MHz）
　　反向恢复时间（trr）：未指定（体二极管）
　　工作结温范围（Tj）：-55℃ ~ +150℃
　　封装形式：TO-252 (DPAK)
　　安装类型：表面贴装

UTT50P06G-TN3-R采用先进的沟槽式MOSFET工艺，具备极低的导通电阻RDS(on)，在VGS=-10V条件下可低至40mΩ，显著降低了导通状态下的功率损耗，提升了系统的能效表现。这种低RDS(on)特性特别适用于大电流应用场景，如电机驱动、电源开关和电池管理系统，能够有效减少发热，提升系统稳定性与寿命。该器件具有较高的电流承载能力，最大连续漏极电流可达-50A，脉冲电流更高达-160A，使其能够在瞬态负载或启动冲击电流较大的场合稳定工作。同时，其125W的最大功耗能力配合TO-252封装的良好散热设计，确保了在高功率运行时的热可靠性。
　　该MOSFET的栅极电荷（Qg）仅为75nC，较低的栅极驱动需求意味着控制器所需的驱动电流较小，有利于简化驱动电路设计并降低驱动损耗，尤其适用于高频开关电源和同步整流等对开关速度要求较高的应用。输入电容Ciss为2300pF，在同类P沟道器件中处于较优水平，有助于减少高频噪声和振铃现象。其阈值电压范围为-2.0V至-4.0V，确保了在宽输入电压范围内都能实现可靠的开启与关断控制，兼容多种逻辑电平信号源。
　　UTT50P06G-TN3-R具备出色的雪崩能量耐受能力和抗浪涌性能，能够在突发过压或感性负载切换时提供一定的自我保护能力，增强了系统的鲁棒性。其体二极管具有较快的反向恢复特性（尽管具体trr未标注），适用于需要反向续流功能的电路结构。此外，该器件通过了严格的可靠性测试，包括高温反偏（HTRB）、高温栅极偏置（HTGB）和温度循环等，确保在恶劣工作环境下长期稳定运行。TO-252封装不仅便于自动化装配，还提供了良好的电气隔离和散热路径，适合在紧凑型高密度PCB布局中使用。

UTT50P06G-TN3-R广泛应用于各类需要高效、高电流开关控制的电子系统中。典型应用包括直流电机驱动电路中的H桥或半桥开关，利用其低导通电阻和高电流能力实现高效能量传输与快速响应。在便携式电子设备中，如笔记本电脑、平板和移动电源，该器件常用于电池充放电管理模块或负载开关，实现对电源路径的精确控制与反向电流阻断。在工业电源系统中，它可用于同步整流器或高端开关配置，替代传统二极管以提高转换效率。此外，在DC-DC降压或升压转换器中，该P沟道MOSFET可作为高端开关使用，特别是在非隔离式Buck电路中，配合PWM控制器实现稳定的电压输出。
　　由于其高耐压（-60V）和强电流能力，UTT50P06G-TN3-R也适用于工业控制设备中的继电器替代方案，即固态开关应用，避免机械触点磨损问题，提升系统寿命与可靠性。在汽车电子领域，可用于车载充电器、车灯控制模块或辅助电源单元，满足汽车级环境对温度和振动的要求。此外，在UPS不间断电源、服务器电源模块和通信基站电源系统中，该器件可用于冗余电源切换或热插拔保护电路，防止电流冲击损坏后级电路。其表面贴装封装形式也使其适用于自动化大规模生产，广泛服务于消费类电子、工业自动化、电信基础设施和绿色能源等多个行业。

UTC50P06G-TN3-R
　　AP50P06GH-T1G
　　FDD5614P
　　IRF9Z34NPBF
　　STP55PF06LP