时间：2025/12/27 8:15:35
阅读：24
UTT50P04L-SO8-R是一款由Unipower Semiconductor推出的N沟道增强型功率MOSFET，采用SO-8封装形式，并以卷带包装（R表示卷带包装），适用于中高功率开关应用。该器件专为高效能、低导通电阻和快速开关特性而设计，广泛应用于电源管理、DC-DC转换器、电机驱动以及负载开关等场景。UTT50P04L-SO8-R的命名规则中，'UTT'代表制造商前缀，'50P04'表示其主要电气参数：最大漏源电压VDS为50V，典型导通电阻RDS(on)在低压范围内较低，'L'可能表示逻辑电平兼容栅极驱动，'SO8'指明其封装类型为小型化表面贴装SOIC-8封装，'R'则表明为编带出货形式，适合自动化贴片生产。该MOSFET具备良好的热稳定性和可靠性，符合RoHS环保要求，能够在较宽的温度范围内稳定工作，是现代电子设备中实现高效能功率控制的关键元件之一。由于其封装形式支持引脚与PCB的良好连接并具备一定散热能力，因此在空间受限但性能要求较高的应用场景中尤为受欢迎。
型号：UTT50P04L-SO8-R
通道类型：N沟道
最大漏源电压（VDS）：50V
最大栅源电压（VGS）：±20V
连续漏极电流（ID）：18A（@TC=25℃）
脉冲漏极电流（IDM）：72A
最大功耗（PD）：3.5W（@TA=25℃）
导通电阻（RDS(on)）：6.5mΩ（@VGS=10V）、8.5mΩ（@VGS=4.5V）
阈值电压（Vth）：1.0V ~ 2.5V
工作结温范围（TJ）：-55℃ ~ +150℃
存储温度范围（Tstg）：-55℃ ~ +150℃
封装类型：SO-8
安装方式：表面贴装
极性：增强型
UTT50P04L-SO8-R具备优异的导通性能和开关速度，其核心优势在于低导通电阻RDS(on)，在VGS=10V时仅为6.5mΩ，在VGS=4.5V时也仅8.5mΩ，这一特性显著降低了导通状态下的功率损耗，提升了系统整体效率，特别适用于大电流应用场景如同步整流和电池供电系统中的负载切换。该器件支持逻辑电平驱动，意味着即使在较低的栅极驱动电压（如3.3V或5V）下也能充分导通，兼容现代微控制器和数字信号处理器的输出电平，无需额外升压电路即可直接驱动，简化了设计复杂度并降低成本。其SO-8封装不仅体积小巧，节省PCB空间，还通过外露焊盘设计增强了散热能力，有效将芯片热量传导至PCB地层，从而提高长期运行的热稳定性。
此外，UTT50P04L-SO8-R具有良好的雪崩耐受能力和抗瞬态过压能力，能够在突发负载变化或电感反冲等恶劣工况下保持可靠运行。器件内部结构优化减少了寄生电容和栅极电荷（Qg），从而加快了开关速度，降低了开关损耗，有利于提升高频开关电源的工作频率和效率。其阈值电压范围合理（1.0V~2.5V），确保了开启的一致性和可控性，同时避免因噪声干扰导致误触发。所有材料均符合RoHS指令要求，不含铅、镉等有害物质，满足现代电子产品对环保的严格标准。该MOSFET经过严格的可靠性测试，包括高温反向偏压（HTRB）、高温栅极偏压（HTGB）和温度循环试验，确保在工业级甚至部分汽车级应用环境中长期稳定工作。
UTT50P04L-SO8-R广泛应用于各类需要高效、紧凑型功率开关的电子系统中。常见用途包括：同步降压转换器中的上下管开关，尤其在VRM（电压调节模块）和POL（点负载）电源中用于为CPU、GPU或FPGA提供稳定的低电压大电流供电；在DC-DC变换器中作为主开关器件，实现高效的能量转换；在电机驱动电路中用作H桥或半桥拓扑中的功率开关，控制直流电机或步进电机的启停与方向；在热插拔控制器和负载开关中用于实现软启动和过流保护功能，防止上电冲击损坏后级电路；此外，也可用于LED驱动电源、笔记本电脑适配器、便携式设备电源管理单元以及工业控制系统的功率接口模块。得益于其表面贴装封装和自动化生产能力，该器件非常适合大规模SMT生产线使用，广泛服务于消费电子、通信设备、工业自动化和车载电子等多个领域。
[
"UT50P04L",
"SiSS108DN",
"AOZ5242AIJ",
"CSD17556Q5B",
"FDMS7680S"
]
