型号：UTT50N06G-TN3-R
　　制造商：UniSiC (United Silicon Carbide Co., Ltd.)
　　器件类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压(VDS)：60V
　　漏极电流(ID)：50A @ 25°C
　　栅源电压(VGS)：±20V
　　导通电阻(RDS(on))：17.5mΩ @ VGS=10V, ID=25A
　　导通电阻(RDS(on))：22mΩ @ VGS=4.5V, ID=25A
　　栅极电荷(Qg)：45nC @ VGS=10V
　　输入电容(Ciss)：2800pF @ VDS=30V
　　开启延迟时间(td(on))：15ns
　　关断延迟时间(td(off))：30ns
　　反向恢复时间(trr)：30ns
　　工作结温范围(Tj)：-55°C ~ +175°C
　　封装形式：TO-252 (DPAK)
　　安装类型：表面贴装

UTT50N06G-TN3-R采用先进的沟槽式MOSFET工艺，实现了极低的导通电阻RDS(on)，在VGS=10V条件下仅为17.5mΩ，显著降低了导通损耗，提高了电源系统的整体效率。该低RDS(on)特性使其在大电流输出场景下仍能保持较低的温升，有助于简化散热设计并提升功率密度。此外，该器件在VGS=4.5V时的RDS(on)也仅为22mΩ，表明其在低驱动电压下仍具备良好的导通能力，适用于由3.3V或5V逻辑信号直接驱动的应用场合，如同步整流和负载开关。
　　该MOSFET具备优异的开关性能，其总栅极电荷Qg低至45nC，输入电容Ciss为2800pF，确保了快速的开关响应和较低的驱动功耗。开启和关断延迟时间分别为15ns和30ns，配合30ns的体二极管反向恢复时间trr，使得器件在高频PWM控制中表现出色，有效减少开关过程中的交越损耗，适用于工作频率高达数百kHz甚至MHz级别的DC-DC变换器。同时，器件的体二极管具有软恢复特性，可降低电磁干扰（EMI），提高系统稳定性。
　　UTT50N06G-TN3-R具有高可靠性与强鲁棒性。其最大漏源电压为60V，在瞬态过压情况下具备一定的耐受能力。栅源电压支持±20V，增强了对误操作或电压尖峰的抗扰度。器件的工作结温范围宽达-55°C至+175°C，可在高温工业环境或密闭空间内长期稳定运行。TO-252封装不仅便于自动化贴片生产，还提供了良好的热传导路径，通过PCB铜箔即可实现有效散热，无需额外散热器，从而降低系统成本与体积。

UTT50N06G-TN3-R广泛应用于多种中高功率开关电源系统中。典型应用场景包括非隔离型DC-DC降压（Buck）转换器，用于服务器主板、通信设备和嵌入式系统的多相电压调节模块（VRM），其低导通电阻和快速开关特性有助于提升转换效率并降低温升。在同步整流电路中，该MOSFET可作为主开关或整流管使用，替代传统肖特基二极管，显著降低导通损耗，提高电源能效，特别适用于笔记本电脑适配器、手机充电器等便携式电源产品。
　　此外，该器件也适用于电机驱动电路，如直流无刷电机（BLDC）的H桥驱动或步进电机的相位控制，其高电流承载能力和快速响应能力可确保电机平稳启动与高效运行。在电池管理系统（BMS）和电源切换电路中，UTT50N06G-TN3-R可用于电池充放电控制、负载开关或热插拔保护，凭借其低静态功耗和高可靠性保障系统安全。消费类电子产品如电视、机顶盒、智能家居控制器等内部的辅助电源（Auxiliary Power Supply）也常采用此类MOSFET进行功率调控。工业控制、LED驱动电源和太阳能微逆变器等对效率和寿命要求较高的领域同样是其重要应用方向。

UTT50N06G-TN3-R
　　AP60T06GM-HF
　　IRF540NPBF
　　FDD6688
　　SI4410DY-T1-GE3
　　FDN360P