型号：UTT50N05L-TN3-R
　　类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（VDS）：50V
　　最大栅源电压（VGS）：±20V
　　最大连续漏极电流（ID）：50A
　　最大脉冲漏极电流（IDM）：200A
　　最大功耗（PD）：125W
　　导通电阻RDS(on)：≤8.5mΩ @ VGS=10V
　　导通电阻RDS(on)：≤12mΩ @ VGS=4.5V
　　阈值电压（Vth）：1.0V ~ 2.5V
　　输入电容（Ciss）：约3300pF
　　输出电荷（Qg）：约45nC
　　工作结温范围（Tj）：-55°C ~ +150°C
　　封装：TO-252 (DPAK)

UTT50N05L-TN3-R采用先进的沟槽式场效应晶体管工艺，具备极低的导通电阻，这使其在大电流应用中显著降低导通损耗，提高系统效率。其RDS(on)在VGS=10V时不超过8.5mΩ，在VGS=4.5V时仍可保持在12mΩ以下，表明其对逻辑电平驱动信号的良好响应能力，适用于由3.3V或5V微控制器直接驱动的场合。这种低阈值特性使得器件能够在较低的栅极驱动电压下完全导通，减少对外部驱动电路的依赖，简化系统设计并降低成本。
　　该MOSFET具有优异的热稳定性，TO-252封装提供了良好的散热路径，结合芯片内部的均匀电流分布设计，有效防止热点形成，延长器件寿命。其高达125W的最大功耗能力，使其能够应对短时过载或瞬态工况。同时，器件具备较强的抗雪崩能力，能够在感性负载关断过程中承受一定的反向能量冲击，避免因电压尖峰导致的击穿失效。
　　在开关性能方面，UTT50N05L-TN3-R拥有较低的输入电容和栅极电荷，这意味着在高频开关应用中所需的驱动功率较小，有助于提升开关速度并减少开关损耗。其输出电容也经过优化，降低了关断过程中的能量损耗，进一步提升能效。此外，该器件对dv/dt和di/dt具有良好的耐受性，能够在快速切换条件下保持稳定运行，减少误触发风险。
　　UTT50N05L-TN3-R还具备良好的抗干扰能力和长期可靠性，符合RoHS环保要求，无卤素，适用于自动化贴片生产线。其批次一致性高，参数分布集中，有利于大批量生产中的质量控制。器件通过了严格的可靠性测试，包括高温反偏（HTRB）、高温栅极偏置（HTGB）和温度循环等，确保在严苛环境下的长期稳定运行。

UTT50N05L-TN3-R广泛应用于各类中高功率电源系统中。典型应用场景包括同步整流型DC-DC降压或升压转换器，其中作为主开关或同步整流管使用，利用其低导通电阻和快速开关特性提升转换效率。在电机驱动电路中，该器件可用于H桥或半桥拓扑结构中，驱动直流电机或步进电机，提供高效的电流控制能力。
　　在电源管理模块中，UTT50N05L-TN3-R常被用作负载开关或热插拔控制器中的功率开关，实现对电源通路的快速通断控制，保护后级电路免受浪涌电流冲击。此外，它也适用于电池供电系统中的充放电控制，如电动工具、无人机、便携式设备等，能够高效地管理电池能量输出。
　　在工业控制领域，该MOSFET可用于PLC输出模块、继电器替代方案或电磁阀驱动，提供固态开关的高可靠性和长寿命优势。在消费类电子产品中，如显示器电源、LED驱动电源、适配器等，UTT50N05L-TN3-R凭借其紧凑封装和高效性能，成为理想的功率开关选择。
　　由于其具备一定的抗浪涌能力，该器件也可用于汽车电子中的辅助电源系统或车载照明控制，尽管并非专为AEC-Q101认证设计，但在非安全关键类应用中仍具竞争力。此外，在太阳能充电控制器、逆变器和UPS不间断电源等新能源领域，该MOSFET同样表现出良好的适应性，支持高效率能量转换需求。

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　　 "FQP50N05L",
　　 "STP50N05LT4",
　　 "IRFZ44N",
　　 "AP65G03LR",
　　 "UTT30N06L"
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