时间:2025/12/27 7:43:18
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UTT50N05是一款由优源半导体(Uyicon Semiconductor)推出的N沟道增强型功率MOSFET,广泛应用于电源管理、电机驱动、DC-DC转换器以及开关电源等高效率、高频率的电子电路中。该器件采用先进的沟槽栅极技术制造,具有低导通电阻、高开关速度和良好的热稳定性等特点,适用于需要高效能与紧凑设计的现代电力电子系统。UTT50N05的额定电压为50V,最大连续漏极电流可达50A,适合在中等电压和大电流负载条件下工作。其封装形式通常为TO-220或TO-263(D2PAK),具备良好的散热性能,能够在较宽的温度范围内稳定运行。由于其优异的电气特性与成本优势,UTT50N05常被用于消费类电子产品、工业控制设备、电动工具及汽车电子系统中的功率开关应用。
该器件的设计注重可靠性与耐用性,内置体二极管可提供反向电流路径,在感性负载切换过程中起到保护作用。同时,UTT50N05具备较高的雪崩能量耐受能力,增强了在瞬态过压情况下的鲁棒性。此外,它对栅极驱动电压的要求较为宽松,标准逻辑电平(如5V~10V)即可实现充分导通,便于与微控制器或其他数字控制电路直接接口。总体而言,UTT50N05是一款性价比高、适用范围广的功率MOSFET,在替代传统晶体管或继电器实现高效开关功能方面表现出色。
型号:UTT50N05
类型:N沟道增强型MOSFET
漏源电压(VDS):50V
栅源电压(VGS):±20V
连续漏极电流(ID):50A @ TC=25℃
脉冲漏极电流(IDM):200A
导通电阻(RDS(on)):≤8.5mΩ @ VGS=10V, ID=25A
导通电阻(RDS(on)):≤12mΩ @ VGS=4.5V, ID=25A
阈值电压(Vth):2.0V ~ 4.0V
输入电容(Ciss):约3300pF @ VDS=25V, VGS=0V
输出电容(Coss):约950pF @ VDS=25V, VGS=0V
反向恢复时间(trr):约40ns
工作结温(Tj):-55℃ ~ +175℃
封装形式:TO-220 / TO-263 (D2PAK)
UTT50N05采用先进的沟槽栅极工艺技术,显著降低了导通电阻RDS(on),从而有效减少导通损耗,提升整体系统效率。其典型RDS(on)值在VGS=10V时低至8.5mΩ,在大电流应用场景下能够保持较低的温升,有助于简化散热设计并提高功率密度。这种低阻特性尤其适用于电池供电设备和高效率电源转换器中,例如同步整流Buck/Boost变换器、H桥电机驱动电路等。
该器件具备优良的开关性能,输入和输出电容较小,配合快速的栅极充放电响应,使其能够在高频开关环境下稳定工作。开关延迟时间短,上升与下降时间均处于行业领先水平,确保了在数十kHz乃至数百kHz的PWM调制频率下仍能维持高效运行。这对于减少滤波元件体积、提升动态响应速度至关重要。
UTT50N05还具备较强的热稳定性和长期可靠性。芯片通过优化的晶圆结构设计和封装工艺,提升了热传导效率,使结到壳的热阻降低,允许器件在高环境温度下持续工作。同时,其最大工作结温高达+175℃,提供了充足的热裕量,增强了在恶劣工况下的安全性。内置的体二极管具有较快的反向恢复特性,减少了换流过程中的能量损耗与电磁干扰,进一步提高了系统的能效与EMI表现。
此外,UTT50N05支持宽范围的栅极驱动电压(推荐4.5V~10V),兼容主流逻辑电平信号,可以直接由MCU GPIO或专用驱动IC驱动,无需额外电平转换电路,简化了外围设计。器件还具备良好的抗雪崩击穿能力,能够在意外电压尖峰或感性负载突变时吸收一定能量而不损坏,提升了系统鲁棒性。综合来看,UTT50N05在性能、可靠性和成本之间实现了良好平衡,是中低压大电流开关应用的理想选择之一。
UTT50N05广泛应用于各类中低压直流电源系统和功率控制电路中。常见用途包括开关模式电源(SMPS)、DC-DC降压/升压转换器、同步整流模块、便携式设备电源管理单元等。在这些应用中,其低导通电阻和高效率特性有助于延长电池续航时间并减少发热问题。
在电机控制系统中,UTT50N05可用于H桥或半桥拓扑结构,驱动直流电机、步进电机或风扇等负载,适用于电动工具、家用电器、无人机电调等领域。其高电流承载能力和快速响应特性保证了电机启停平稳、调速精确。
此外,该器件也常用于逆变器、LED驱动电源、充电器(如手机快充、电动车充电模块)以及工业自动化设备中的固态继电器替代方案。由于其具备良好的热性能和可靠性,也可部署于车载电子系统,如车灯控制、车载逆变器或电池管理系统(BMS)中的充放电开关。
在消费类电子产品中,UTT50N05因其性价比高、供货稳定而受到青睐,广泛用于笔记本电脑适配器、移动电源、智能家居控制板等产品中。其TO-220或D2PAK封装易于安装和焊接,支持通孔或表面贴装工艺,适应多种生产需求。总体而言,UTT50N05凭借其出色的电气性能和广泛的适用性,已成为中功率电力电子设计中的常用器件之一。
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AP50N05GP-HF
STP50N05LT4
FQP50N05
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