型号：UTT4N10
　　类型：N沟道增强型MOSFET
　　漏源电压VDS：100V
　　栅源电压VGS：±20V
　　连续漏极电流ID：52A（Tc=25℃）
　　脉冲漏极电流IDM：208A
　　导通电阻RDS(on)：≤8.5mΩ（@VGS=10V, ID=26A）
　　阈值电压VGS(th)：2.0~4.0V（@ID=250μA）
　　输入电容Ciss：2300pF（@VDS=50V）
　　输出电容Coss：530pF（@VDS=50V）
　　反向传输电容Crss：110pF（@VDS=50V）
　　开启延迟时间td(on)：15ns
　　关断延迟时间td(off)：45ns
　　最大功耗PD：200W（Tc=25℃）
　　工作结温范围TJ：-55℃ ~ +150℃
　　封装形式：TO-252（D-PAK）

UTT4N10采用先进的平面双扩散金属氧化物半导体工艺技术，确保了器件在高电压和大电流条件下仍能保持优异的电气性能。其核心优势之一是低导通电阻RDS(on)，典型值仅为8.5mΩ，在高电流应用中显著降低了导通损耗，提高了系统整体效率。这使得UTT4N10特别适用于需要高效能量转换的场景，如开关电源中的同步整流或半桥/全桥拓扑结构。
　　该器件具备快速开关能力，开关时间经过优化，开启延迟时间为15ns，关断延迟时间为45ns，能够支持高达数百kHz的开关频率运行，满足现代高频电源设计的需求。同时，其栅极电荷Qg较低，减少了驱动电路的功率消耗，便于与PWM控制器或驱动IC配合使用，进一步提升系统响应速度与动态调节能力。
　　UTT4N10内置体二极管具有较快的反向恢复特性，虽然不如专门的快恢复二极管，但在许多非严苛续流需求的应用中已足够使用。此外，该MOSFET具有良好的热稳定性和负温度系数特性，有助于多个并联使用时实现电流均衡分布，提高系统可靠性。
　　在可靠性方面，UTT4N10通过了严格的工业级测试标准，包括高温反偏（HTRB）、高温栅极偏置（HTGB）和功率循环测试等，确保长期工作下的稳定性。器件还具备一定的抗雪崩能力，能够在瞬态过压事件中吸收一定能量而不发生永久性损坏，增强了电源系统的安全裕度。TO-252封装提供了优良的散热路径，允许在良好散热条件下持续承载较高电流，适合密集布局的PCB设计。

UTT4N10广泛应用于多种中高功率电子系统中，尤其适用于对效率和热管理有较高要求的设计场景。在开关电源（SMPS）领域，常用于AC-DC适配器、服务器电源模块和离线式反激变换器的主开关或同步整流环节，利用其低导通电阻和快速开关特性来降低传导和开关损耗，从而提升转换效率。
　　在DC-DC变换器中，无论是降压（Buck）、升压（Boost）还是升降压（Buck-Boost）拓扑结构，UTT4N10均可作为主控开关管使用，特别是在多相供电系统中，其一致的参数特性和良好的并联能力有助于实现负载均流与热平衡。此外，在电机驱动应用中，如直流无刷电机（BLDC）或步进电机的H桥驱动电路中，UTT4N10可用于高低边开关，提供快速响应和可靠控制。
　　该器件也常见于逆变器系统，例如太阳能微逆变器、UPS不间断电源和车载逆变器等，承担能量转换的核心任务。由于其额定电压为100V，适用于48V或72V母线系统的电力传输与分配单元，也可用于LED恒流驱动电源中的功率开关元件。
　　在工业自动化设备、电动工具、充电桩辅助电源以及各类消费电子产品中，UTT4N10凭借其高性价比、稳定性能和成熟的供应链支持，成为工程师优选的国产MOSFET解决方案之一。同时，其符合RoHS环保要求，支持无铅回流焊工艺，适应现代绿色制造趋势。

IRF3205
　　STP55NF10
　　FQP4N10