时间：2025/12/27 8:06:16
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UTT36N10L是一款由Unipower Semiconductor推出的N沟道增强型功率MOSFET，广泛应用于中高功率开关场合。该器件采用先进的沟槽技术制造，具有低导通电阻、高开关速度和良好的热稳定性等优点。UTT36N10L的额定电压为100V，最大连续漏极电流可达36A，适用于需要高效能和紧凑设计的电源管理系统。其封装形式通常为TO-220或TO-252（DPAK），便于在PCB上安装并具备良好的散热性能。这款MOSFET特别适合用于DC-DC转换器、电机驱动器、逆变器以及电池管理系统等应用中。由于采用了优化的硅片设计，UTT36N10L在高频工作条件下仍能保持较低的开关损耗和导通损耗，从而提升整体系统效率。此外，该器件还具备较高的雪崩能量承受能力，增强了在恶劣工作环境下的可靠性。其引脚配置符合标准三端结构，栅极、漏极和源极排列清晰，便于电路设计与调试。总体而言，UTT36N10L是一款高性能、高性价比的功率MOSFET，适用于多种工业级和消费类电子设备中的功率控制需求。
型号：UTT36N10L
类型：N沟道增强型MOSFET
漏源击穿电压（BVDSS）：100V
栅源阈值电压（VGS(th)）：2.0V ~ 4.0V
导通电阻（RDS(on)）：≤8.5mΩ @ VGS=10V, ID=18A
最大漏极电流（ID）：36A（连续）
脉冲漏极电流（IDM）：144A
最大耗散功率（PD）：200W
工作结温范围（TJ）：-55°C ~ +150°C
存储温度范围（TSTG）：-55°C ~ +150°C
输入电容（Ciss）：约2800pF @ VDS=50V
输出电容（Coss）：约470pF @ VDS=50V
反向恢复时间（trr）：典型值30ns
栅极电荷（Qg）：约70nC @ VGS=10V
UTT36N10L采用先进的沟槽式场效应晶体管工艺，具备极低的导通电阻，这使得其在大电流应用中能够显著降低导通损耗，提高系统能效。其RDS(on)典型值仅为8.5mΩ，在同类产品中处于领先水平，有助于减少发热并简化散热设计。该器件具有优异的开关特性，输入电容和输出电容较小，配合合理的驱动电路可实现快速开关动作，适用于高频PWM控制场景，如开关电源和同步整流电路。得益于优化的晶圆结构，UTT36N10L在高温环境下依然保持稳定的电气性能，结温可达150°C，确保了在严苛工况下的长期可靠性。
该MOSFET具备较强的抗雪崩能力和耐用性，能够在瞬态过压或负载突变情况下有效保护自身及周边电路。其栅氧化层经过特殊处理，提高了抗静电击穿能力，降低了因ESD导致失效的风险。同时，器件内部寄生二极管具有较快的反向恢复速度，减少了在感性负载切换过程中的能量损耗和电磁干扰问题。UTT36N10L支持简单的栅极驱动方式，兼容常见的3.3V或5V逻辑电平信号，通过适当的电平转换或驱动芯片即可实现高效控制，适用于嵌入式系统和数字电源控制架构。
封装方面，TO-220或TO-252形式不仅提供了良好的机械强度，还具备出色的热传导性能，可通过加装散热片进一步提升功率承载能力。这种封装也便于自动化贴装和维修更换，适合批量生产。此外，UTT36N10L符合RoHS环保要求，不含铅等有害物质，满足现代电子产品对绿色环保的需求。综合来看，该器件在性能、可靠性和成本之间实现了良好平衡，是中高功率电力电子设计的理想选择之一。
UTT36N10L广泛应用于各类中高功率电力电子系统中，尤其适合需要高效开关和大电流承载能力的场合。常见应用包括开关模式电源（SMPS），如AC-DC适配器、DC-DC升压/降压转换器，在这些系统中作为主开关管或同步整流管使用，能够有效降低导通损耗并提升转换效率。在电机驱动领域，该MOSFET可用于直流电机、步进电机或BLDC（无刷直流电机）的H桥驱动电路中，提供快速响应和稳定运行能力，适用于电动工具、家用电器和小型工业设备。
此外，UTT36N10L也常用于逆变器系统，如太阳能微逆变器、UPS不间断电源和车载逆变器中，承担能量转换的核心任务。其高耐压和强电流输出能力使其能在12V、24V甚至48V系统中可靠工作。在电池管理系统（BMS）中，该器件可用作充放电控制开关，实现对锂电池组的安全充放电管理，防止过流和短路风险。
其他应用场景还包括LED恒流驱动电源、电焊机电源模块、电动自行车控制器以及工业自动化控制板卡等。由于其具备良好的热稳定性和抗干扰能力，UTT36N10L也能适应较为恶劣的工作环境，如高温、潮湿或多尘场所。总之，该器件凭借其高性能参数和稳健的设计，已成为众多功率电子设计方案中的关键元件。
APT36N10L
FQP36N10L
IRF36N10L
STP36N10L
