时间：2025/6/25 16:45:54
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UTT36N10L-TA3-T是一款高性能的MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），属于N沟道增强型功率MOSFET。该器件采用先进的制造工艺，具有较低的导通电阻和较高的开关速度，适用于多种电源管理应用。其封装形式为TO-252(DPAK)，能够有效降低热阻并提升散热性能。
这款MOSFET广泛用于DC-DC转换器、电机驱动、负载开关以及电池保护等场景，特别适合需要。
最大漏源电压：100V
连续漏极电流：36A
导通电阻：2.8mΩ
栅极电荷：70nC
总电容：490pF
工作结温范围：-55℃至175℃
1. 极低的导通电阻Rds(on)，有助于减少传导损耗，提高系统效率。
2. 高雪崩能量能力，增强了器件在异常条件下的鲁棒性。
3. 快速开关特性，可显著降低开关损耗。
4. 符合RoHS标准，绿色环保。
5. 提供出色的热性能，支持高功率密度设计。
6. 封装紧凑，易于集成到空间受限的应用中。
1. 开关电源(SMPS)中的同步整流。
2. 电机控制与驱动电路。
3. 汽车电子中的负载切换。
4. 工业自动化设备中的功率管理。
5. 电池管理系统(BMS)中的保护开关。
6. 通信设备中的高效功率转换。
IRF3710
STP36NF10L
FDP5510
