型号：UTT36N10G-TN3-R
　　类型：N沟道增强型MOSFET
　　漏源电压VDS：100V
　　栅源电压VGS：±20V
　　连续漏极电流ID：36A（@TC=25°C）
　　脉冲漏极电流IDM：144A
　　导通电阻RDS(on)：max 40mΩ @ VGS=10V, ID=18A
　　导通电阻RDS(on)：max 50mΩ @ VGS=4.5V, ID=18A
　　阈值电压VGS(th)：2.0V ~ 4.0V
　　输入电容Ciss：2300pF @ VDS=50V
　　输出电容Coss：580pF @ VDS=50V
　　反向传输电容Crss：110pF @ VDS=50V
　　栅极电荷Qg：75nC @ VGS=10V
　　体二极管反向恢复时间trr：35ns
　　工作结温范围Tj：-55°C ~ +150°C
　　封装：TO-252 (DPAK)
　　安装方式：表面贴装(SMD)
　　功耗PD：200W（@TC=25°C）

UTT36N10G-TN3-R采用先进的沟槽式MOSFET工艺，显著降低了导通电阻RDS(on)，从而有效减少导通损耗，提高系统整体效率。其最大导通电阻在VGS=10V时仅为40mΩ，在4.5V驱动条件下也能保持在50mΩ以下，这使得该器件即使在低栅压驱动环境下仍能保持优异的性能，兼容3.3V或5V逻辑电平控制电路。
　　该MOSFET具有较低的栅极电荷（Qg=75nC）和输入电容（Ciss=2300pF），有助于降低开关损耗，提升高频开关应用中的能效表现。同时，较小的反向传输电容Crss（110pF）增强了器件的抗噪声能力，减少米勒效应引起的误触发风险，提升系统稳定性。体二极管的反向恢复时间短（trr=35ns），有利于减少续流过程中的能量损耗，特别适用于硬开关拓扑如Buck、Boost和同步整流电路。
　　UTT36N10G-TN3-R具备优良的热性能，TO-252封装设计提供了良好的散热路径，能够在较高环境温度下稳定运行。其最大连续漏极电流可达36A，脉冲电流高达144A，展现出强大的过载能力和瞬态响应能力。器件的工作结温范围宽达-55°C至+150°C，适用于严苛工业环境下的长期运行。
　　此外，该器件通过了严格的可靠性测试，包括高温反偏（HTRB）、高压烘烤（H3TRB）和温度循环等，确保在各种应用场景下具备长寿命和高稳定性。其符合RoHS指令，不含铅和镉等有害物质，支持环保生产工艺，满足现代电子产品对绿色制造的要求。

UTT36N10G-TN3-R广泛应用于各类中高功率电源系统中。在开关电源（SMPS）中，它常用于主开关管或同步整流管，凭借低RDS(on)和快速开关特性，显著提升转换效率并降低温升。在DC-DC转换器，尤其是降压（Buck）和升压（Boost）拓扑中，该MOSFET能够承受高频率切换操作，适用于服务器电源、笔记本适配器和车载电源等对效率要求较高的场景。
　　在电机驱动领域，UTT36N10G-TN3-R可用于H桥电路中的功率开关，控制直流电机或步进电机的正反转与调速，其高电流承载能力和快速响应特性可有效提升驱动系统的动态性能。在逆变器系统中，如太阳能微逆变器或UPS不间断电源，该器件作为核心开关元件参与直流转交流的过程，确保电能高效转换与稳定输出。
　　此外，该MOSFET也适用于电池管理系统（BMS）中的充放电控制电路，用于实现电池组的过流保护与能量管理。其宽工作温度范围和高可靠性使其在工业自动化设备、通信电源模块、LED驱动电源以及家用电器中均有广泛应用。由于其表面贴装封装形式，特别适合自动化生产流程，提升产品一致性与良率。

SPW36N10C3-T1-G；FQP36N10；IRF3610；STP36NF10；IPB036N10S3L-01