型号：UTT30N10G-TN3-R
　　类型：N沟道增强型MOSFET
　　最大漏源电压（VDS）：100V
　　最大漏极电流（ID）：30A（连续）
　　导通电阻（RDS(on)）：典型值6.5mΩ @ VGS=10V, ID=15A
　　栅极阈值电压（VGS(th)）：2.0V ~ 4.0V
　　最大栅源电压（VGS）：±20V
　　最大功耗（PD）：125W（TC=25°C）
　　工作结温范围（TJ）：-55°C ~ +150°C
　　输入电容（Ciss）：约2800pF @ VDS=50V
　　输出电容（Coss）：约480pF @ VDS=50V
　　反向恢复时间（trr）：无体二极管快恢复特性
　　封装形式：TO-252 (D-Pak)
　　安装方式：表面贴装（SMD）

UTT30N10G-TN3-R采用了先进的沟槽型场效应晶体管工艺，具备极低的导通电阻，这使得它在大电流应用场景下能够显著降低导通损耗，从而提高整体系统的能效表现。其典型RDS(on)仅为6.5mΩ，在10V栅极驱动条件下即可实现充分导通，非常适合用于同步整流、电池供电系统和高密度电源设计。这种低RDS(on)特性还意味着更小的发热，有助于简化散热设计并提升产品长期运行的稳定性。
　　该器件拥有优良的开关性能，输入电容和输出电容均经过优化，能够在高频开关环境中保持较低的驱动损耗和快速的响应速度。其栅极电荷（Qg）较低，减少了驱动电路所需的能量，特别适用于PWM调制频率较高的DC-DC变换器和开关电源拓扑结构，如Buck、Boost和半桥电路。同时，较低的米勒电容（Crss）有效抑制了寄生导通风险，提高了抗噪声干扰能力。
　　UTT30N10G-TN3-R具备较强的热稳定性，得益于TO-252封装良好的热传导路径，可以在较高环境温度下持续工作。其最大结温可达150°C，并支持在-55°C至+150°C宽温范围内可靠运行，满足工业级应用需求。此外，该MOSFET具有一定的雪崩能量承受能力，能够在突发电压冲击时提供一定程度的自我保护，增强了系统的鲁棒性。
　　该器件的栅极驱动兼容性强，可在4V以上实现有效开启，因此既可配合专用驱动IC使用，也可直接由微控制器GPIO口驱动（需注意电流能力）。其体二极管具有合理的反向恢复特性，虽不适用于高速整流，但在H桥驱动或感性负载关断时能起到续流作用。总体而言，UTT30N10G-TN3-R是一款综合性能优越、成本效益高的功率MOSFET，适用于对效率、尺寸和成本有较高要求的应用场景。

UTT30N10G-TN3-R广泛应用于多种电力电子系统中，尤其适合需要高效能、高电流切换能力的场合。在开关模式电源（SMPS）中，该器件常用于主开关管或同步整流管，凭借其低导通电阻和快速开关特性，显著提升电源转换效率并减少热量产生，适用于AC-DC适配器、PC电源模块和服务器电源单元等产品。
　　在直流-直流（DC-DC）转换器领域，无论是降压（Buck）、升压（Boost）还是升降压（Buck-Boost）拓扑结构，UTT30N10G-TN3-R都能胜任主功率开关角色，尤其是在多相并联设计中，多个器件并联使用可进一步降低总导通阻抗，满足大电流输出需求，常见于主板VRM、GPU供电模块及车载电源系统。
　　该MOSFET也常用于电机驱动电路，包括直流电机、步进电机的H桥驱动方案中，作为上下桥臂开关元件，控制电机正反转与调速。其高电流承载能力和快速响应特性，使其在电动工具、家用电器（如风扇、洗衣机）和工业自动化设备中表现出色。
　　此外，UTT30N10G-TN3-R还可作为电子负载开关或热插拔控制器中的主控开关，用于控制电源通断，防止浪涌电流损坏后级电路。其表面贴装封装形式便于自动化生产，适用于现代高密度PCB布局，广泛应用于工业控制板、通信电源模块、LED驱动电源及新能源储能系统等领域。

FQP30N10L-F109
　　STP30N10FZ
　　IRF3710PBF
　　AOTF30N10L