类型：N沟道增强型MOSFET
　　漏源电压（Vds）：80V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：30A @ 25°C
　　脉冲漏极电流（Idm）：120A
　　导通电阻（Rds(on)）：8.5mΩ @ Vgs=10V, Id=15A
　　导通电阻（Rds(on)）：11mΩ @ Vgs=4.5V, Id=15A
　　阈值电压（Vgs(th)）：2.0V ~ 4.0V
　　输入电容（Ciss）：2200pF @ Vds=25V
　　输出电容（Coss）：580pF @ Vds=25V
　　反向恢复时间（trr）：38ns
　　二极管正向电压（Vsd）：1.2V
　　最大功耗（Pd）：200W @ 25°C
　　工作结温范围：-55°C ~ +175°C

UTT30N08采用高性能的沟槽栅极技术和硅基工艺，具备极低的导通电阻，这使得在大电流条件下能够显著降低导通损耗，提高系统整体效率。其Rds(on)在Vgs=10V时仅为8.5mΩ，即使在较低的栅极驱动电压4.5V下也能保持11mΩ的低阻值，说明该器件对驱动电路的要求较为宽松，兼容多种逻辑电平驱动，适合用于PWM调制和高频开关应用。
　　该MOSFET具有优异的开关特性，输入和输出电容较小，开关速度快，能够有效减少开关过程中的能量损耗，提升电源系统的转换效率。同时，其反向恢复时间较短，体二极管性能良好，在感性负载开关过程中能有效抑制电压尖峰，减少电磁干扰（EMI），提高系统可靠性。
　　UTT30N08还具备良好的热稳定性和过载能力，其最大结温可达175°C，能够在高温环境下长时间稳定运行。封装形式采用标准TO-220或TO-252，具有良好的散热性能，配合散热片可进一步提升功率处理能力。此外，该器件通过了多项工业级可靠性测试，包括高温反偏（HTRB）、温度循环（TC）、高压蒸煮（PCT）等，确保在严苛工作环境下的长期稳定性。
　　该器件的另一个显著优势是成本效益高，在保证性能接近国际知名品牌的同时，价格更具竞争力，非常适合批量生产的消费类电子产品和工业设备。其引脚配置标准化，便于PCB布局和自动化贴装，有助于降低生产成本和提高组装效率。

UTT30N08广泛应用于各类中高功率电子系统中，尤其适合作为主开关器件在DC-DC降压或升压转换器中使用。在开关电源（SMPS）中，该MOSFET可用于同步整流或主控开关，凭借其低导通电阻和快速开关特性，显著提升电源效率并减少发热。
　　在电机驱动领域，UTT30N08常用于直流电机、步进电机或无刷电机的H桥驱动电路中，能够承受较高的瞬态电流冲击，并在频繁启停和反转操作中保持稳定性能。其高电流承载能力和良好的热管理特性使其在电动工具、电动车控制器和工业自动化设备中表现优异。
　　此外，该器件也适用于电池管理系统（BMS）、逆变器、LED恒流驱动电源和UPS不间断电源等应用。在太阳能逆变器或储能系统中，UTT30N08可用于功率级的开关控制，实现高效的能量转换。
　　由于其具备良好的抗雪崩能力和稳健的体二极管特性，UTT30N08还能在存在感性负载或电压反冲的电路中安全运行，避免因瞬态过压导致器件损坏。这一特性使其在电磁阀控制、继电器驱动和电源软启动电路中也具有重要应用价值。总的来说，UTT30N08是一款通用性强、性能稳定、成本优化的功率MOSFET，适用于多种现代电力电子系统的设计需求。

IRF30N08, STP30NF08L, FQP30N08, AP30N08L, G30N08L