型号：UTT2N10-H
　　类型：N沟道增强型MOSFET
　　漏源电压(VDSS)：100V
　　连续漏极电流(ID)：2A @ 25℃
　　脉冲漏极电流(IDM)：8A
　　栅源电压(VGS)：±20V
　　导通电阻(RDS(on))：≤1.2Ω @ VGS=10V, ID=1A
　　导通电阻(RDS(on))：≤1.5Ω @ VGS=4.5V, ID=1A
　　阈值电压(VGS(th))：2.0V ~ 4.0V
　　输入电容(Ciss)：350pF @ VDS=50V
　　输出电荷(Qgd)：12nC @ VDS=50V
　　工作温度范围：-55℃ ~ +150℃
　　封装：TO-252(DPAK)

UTT2N10-H采用高性能沟槽工艺制造，具备出色的导通性能和开关响应能力。其核心优势之一是低导通电阻RDS(on)，在VGS=10V条件下可低至1.2Ω，有效降低了导通状态下的功率损耗，提升了电源系统的整体能效。这一特性特别适用于电池供电设备或对温升敏感的应用场景，有助于减少散热设计复杂度并提高系统可靠性。
　　该器件的栅极电荷Qg较低，典型值仅为12nC，意味着驱动电路所需的能量更少，有利于实现高频开关操作。在开关电源、DC-DC转换器等高频应用中，低Qg能够显著降低驱动损耗和开关过渡时间，从而提升转换效率并减少电磁干扰（EMI）。同时，输入电容Ciss仅为350pF，在高频工作条件下表现出良好的频率响应特性。
　　UTT2N10-H具备宽泛的栅源电压范围（±20V），增强了其在异常工况下的耐受能力，防止因栅极过压导致的器件损坏。其阈值电压范围为2.0V至4.0V，确保了在逻辑电平信号驱动下也能可靠开启，兼容多数微控制器输出电平，适用于直接由GPIO驱动的低功耗控制电路。
　　热稳定性方面，TO-252封装提供了良好的热传导路径，结到外壳的热阻较低，允许器件在较高负载下长时间稳定运行。该MOSFET还通过了高温反向偏置安全工作区（RBSOA）测试，具备一定的抗雪崩能力，可在突发电压冲击下保持功能完整性，提高了系统在恶劣环境中的鲁棒性。

UTT2N10-H广泛应用于各类中低功率电力电子系统中。常见用途包括开关模式电源（SMPS）、DC-DC升压/降压转换器、LED恒流驱动电路以及电机驱动模块。在便携式电子设备如充电器、移动电源和小型逆变器中，该器件凭借其高效率和小体积优势成为理想的开关元件。
　　在工业控制领域，UTT2N10-H可用于继电器驱动、电磁阀控制和电源管理单元中的负载开关，实现对执行机构的精确通断控制。其快速开关响应能力和低静态功耗使其非常适合用于需要频繁启停的自动化控制系统。
　　此外，该MOSFET也适用于电池管理系统（BMS）中的充放电控制回路，作为防反接或过流保护的开关器件。在太阳能照明、智能电表和家用电器等对成本和可靠性要求较高的产品中，UTT2N10-H以其性价比优势获得广泛应用。
　　由于其封装形式为TO-252，易于焊接且具备良好散热性能，因此也适合在需要一定功率密度但空间受限的应用中使用。无论是作为同步整流管还是主开关管，UTT2N10-H都能提供稳定可靠的性能表现，满足多样化的设计需求。

FQP2N10L,FDD2N10,STP2N10K3,SI2N10DS