型号：UTT24N06G-TN3-R
　　类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压(VDS)：60V
　　最大栅源电压(VGS)：±20V
　　连续漏极电流(ID)@25°C：24A
　　脉冲漏极电流(IDM)：96A
　　导通电阻(RDS(on))@VGS=10V：≤7.5mΩ
　　导通电阻(RDS(on))@VGS=4.5V：≤10mΩ
　　导通电阻(RDS(on))@VGS=2.5V：≤13mΩ
　　栅极阈值电压(VGS(th))：1.0V~2.5V
　　输入电容(Ciss)：2400pF
　　输出电容(Coss)：600pF
　　反向恢复时间(trr)：28ns
　　工作结温范围(Tj)：-55°C~+150°C
　　封装形式：DFN3.3×3.3-8L
　　安装方式：表面贴装(SMT)

UTT24N06G-TN3-R采用先进的沟槽型场效应晶体管工艺，具备极低的导通电阻和优异的开关性能。其核心优势在于在低栅极驱动电压下仍能实现高效的导通状态，特别适用于由3.3V或5V逻辑信号直接驱动的应用场合。该器件的RDS(on)在VGS=4.5V时仅为10mΩ，在大电流条件下显著降低了导通损耗，有助于提升电源系统的转换效率并减少散热设计复杂度。同时，得益于优化的晶圆结构和封装技术，该MOSFET具有出色的热传导性能，能够在高功率密度环境下长时间稳定运行。
　　该器件具备良好的动态性能，输入电容和输出电容较小，使得在高频开关应用中充放电损耗更低，有利于实现更高的开关频率和更紧凑的磁性元件设计。其体二极管具有较短的反向恢复时间（trr=28ns），可有效降低反向恢复过程中的能量损耗和电压尖峰，减少电磁干扰（EMI），提高系统可靠性。此外，器件经过严格的雪崩测试，具备一定的非钳位感性开关（UIS）耐受能力，能够在瞬态过压情况下保持安全运行，避免因意外应力导致的早期失效。
　　UTT24N06G-TN3-R还具备优异的抗短路能力和热稳定性，能够在高温环境下维持稳定的电气参数。其符合AEC-Q101车规标准，表明其在温度循环、机械振动、湿度敏感性等方面均通过严格验证，适用于车载充电机、车载DC-DC转换器、电动助力转向系统等对可靠性要求极高的应用场景。封装采用无铅设计，符合RoHS和REACH环保指令，且具有较小的占板面积，适合高密度PCB布局，是现代高效能电源管理系统的理想选择。

UTT24N06G-TN3-R广泛应用于各类需要高效、高电流开关能力的电源系统中。典型应用包括同步整流式DC-DC降压变换器，尤其是在多相VRM（电压调节模块）中作为下管或上管使用，因其低RDS(on)和良好高频响应特性，能够显著提升转换效率并降低温升。在便携式设备和服务器电源中，该器件可用于负载开关或热插拔电路，实现对供电路径的快速通断控制，防止浪涌电流损坏后级电路。
　　在电机驱动领域，UTT24N06G-TN3-R可用于H桥或半桥拓扑结构中的功率开关，驱动直流电机或步进电机，其快速开关特性和低导通损耗有助于提高驱动效率并减少发热。在电池管理系统（BMS）中，该MOSFET常被用作充放电控制开关，配合保护IC实现过流、过压、短路等多重保护功能，确保锂电池组的安全运行。
　　此外，该器件也适用于汽车电子系统，如车载照明、电动座椅、风扇控制、EPS（电动助力转向）辅助电源等，凭借其AEC-Q101认证和宽温工作范围，可在恶劣的车载环境中长期可靠工作。在工业控制设备中，如PLC模块、传感器电源、继电器驱动等，UTT24N06G-TN3-R同样表现出色，提供稳定可靠的功率切换能力。其小型化封装也使其成为空间受限应用的理想选择。

UTT24N06G-TN3
　　SiSS24DN
　　AOZ5222AIJ
　　FDLF24N06T