型号：UTT200N03
　　类型：N沟道增强型MOSFET
　　最大漏源电压（VDS）：30V
　　最大连续漏极电流（ID）：200A（@TC=25°C）
　　最大脉冲漏极电流（IDM）：600A
　　最大栅源电压（VGS）：±20V
　　阈值电压（Vth）：1.0V ~ 2.5V
　　导通电阻 RDS(on)：1.8mΩ（@VGS=10V）
　　导通电阻 RDS(on)：2.3mΩ（@VGS=4.5V）
　　输入电容（Ciss）：10500pF（@VDS=15V）
　　输出电容（Coss）：2700pF（@VDS=15V）
　　反向恢复时间（trr）：25ns
　　工作结温范围（Tj）：-55°C ~ +175°C
　　封装形式：TO-252（DPAK）

UTT200N03采用先进的沟槽栅极工艺技术，显著降低了导通电阻RDS(on)，使其在大电流应用中能够有效减少传导损耗，提高整体系统效率。其超低的1.8mΩ导通电阻在同类30V N沟道MOSFET中处于领先水平，特别适用于需要高效能和低发热的电源转换场合。该器件支持逻辑电平驱动，在4.5V至10V的栅极电压范围内即可实现充分导通，兼容3.3V或5V驱动信号，极大简化了控制电路设计，尤其适合用于同步整流、半桥/全桥拓扑结构中的开关元件。
　　该MOSFET具备出色的开关特性，包括快速的上升时间和下降时间，以及较低的栅极电荷（Qg）和米勒电荷（Qgd），这使得它在高频PWM调制下仍能保持较低的开关损耗，适用于高达数百kHz甚至更高的开关频率场景。同时，其较大的安全工作区（SOA）保证了在启动、短路或过载等异常工况下的稳健运行。内置的体二极管具有较低的反向恢复电荷（Qrr）和较短的反向恢复时间（trr），减少了反向恢复过程中的尖峰电压和电磁干扰（EMI），提升了系统的电磁兼容性。
　　在可靠性方面，UTT200N03经过严格的可靠性测试，包括高温反偏（HTRB）、高压煮沸（HAST）和温度循环等试验，确保器件在恶劣环境下的长期稳定性。其最高工作结温可达+175°C，具备良好的热裕度，配合TO-252封装的优良散热性能，可在紧凑空间内实现高效散热。此外，该器件还具备较强的抗雪崩能力，能够在感性负载关断时承受一定的雪崩能量，避免因电压过冲而导致的击穿失效，增强了系统鲁棒性。

UTT200N03广泛应用于各类中高功率电子系统中，尤其是在对效率和热性能要求较高的直流电源变换领域。典型应用包括同步整流式DC-DC降压/升压转换器、多相电压调节模块（VRM），用于服务器、笔记本电脑和高性能计算设备的电源管理单元。其低导通电阻和高电流承载能力也使其成为电机驱动器的理想选择，可用于无人机电调、电动工具、机器人关节电机控制等场景，提供快速响应和低功耗表现。
　　在电池管理系统（BMS）和电动交通工具中，UTT200N03可作为主开关或充放电控制开关使用，支持大电流双向流动，保障能量传输效率。此外，该器件还可用于LED照明驱动电源、逆变器输出级、热插拔控制器以及工业PLC的输出驱动模块。由于其具备良好的抗噪能力和稳定的电气参数，也能适应汽车电子中的12V车载电源系统，如车灯控制、风扇驱动和继电器替代方案。对于需要小型化设计但又需维持高功率密度的应用，UTT200N03凭借其TO-252封装与高性能的结合，提供了极具竞争力的解决方案。

UT200N03-G,RU200N03,SGT200N03,TOP200N03