时间：2025/10/7 9:01:08
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UTT1H4R7MDD是一款由United Silicon Technology（ UnitedSiC，现归属于onsemi）生产的硅基氮化镓（GaN-on-Si）高电子迁移率晶体管（HEMT），属于其高性能、低导通电阻的增强型氮化镓功率器件系列。该器件专为满足现代高效率、高功率密度电源系统的需求而设计，广泛应用于服务器电源、电信整流器、工业电源、太阳能逆变器以及电动汽车充电系统等场景。与传统的硅基MOSFET相比，UTT1H4R7MDD利用了氮化镓材料在高频开关应用中的显著优势，如更低的开关损耗、更高的热导率和更小的寄生电容，从而能够在更高的频率下工作，同时保持较低的温升和更高的系统效率。
UTT1H4R7MDD采用增强型（E-mode）设计，这意味着它在栅极电压为零时处于关断状态，这一特性极大简化了驱动电路的设计，使其能够像标准硅MOSFET一样被直接驱动，无需负压关断或其他复杂的启动电路。这对于工程师从传统硅器件向宽禁带半导体过渡提供了极大的便利，降低了系统设计门槛并提高了可靠性。此外，该器件封装在高性能、低寄生电感的表面贴装封装中，有助于最大限度地减少开关过程中的电压过冲和振铃现象，提升整体系统的电磁兼容性（EMC）性能。
型号：UTT1H4R7MDD
类型：增强型氮化镓场效应晶体管（eGaN HEMT）
漏源电压（VDS）：100 V
连续漏极电流（ID @ 25°C）：40 A
脉冲漏极电流（IDM）：160 A
导通电阻（RDS(on)）：4.7 mΩ
栅极阈值电压（VGS(th)）：2.0 V ~ 3.0 V
输入电容（Ciss）：3900 pF
输出电容（Coss）：980 pF
反向恢复电荷（Qrr）：0 C
最大结温（Tj）：150 °C
封装类型：D-PAK (TO-252)
技术平台：GaN-on-Si
极性：N沟道
UTT1H4R7MDD的核心优势之一在于其超低的导通电阻与高电流处理能力的结合。其典型RDS(on)仅为4.7mΩ，在100V耐压等级的功率器件中处于领先水平，显著降低了导通损耗，尤其在大电流应用场景下节能效果明显。得益于氮化镓材料本身的物理特性，该器件具有极快的开关速度，开关时间通常在纳秒级别，使得电源系统可以在数百kHz甚至MHz级别的频率下运行，从而大幅减小磁性元件（如电感和变压器）的体积和重量，提升整体功率密度。
另一个关键特性是其几乎为零的反向恢复电荷（Qrr ≈ 0）。传统硅MOSFET体二极管存在显著的反向恢复问题，会导致额外的开关损耗和电磁干扰。而UTT1H4R7MDD作为HEMT结构器件，其反向导通机制不同于PN结，因此在硬开关或同步整流应用中不会产生明显的反向恢复电流，极大提升了轻载效率和系统稳定性，特别适用于图腾柱PFC、LLC谐振转换器等对开关性能要求严苛的拓扑。
该器件还具备良好的热性能，其封装设计优化了热阻路径，确保热量能够高效传递至PCB或散热器。同时，onsemi为其提供完整的应用支持，包括SPICE模型、参考设计和布局指南，帮助用户快速完成产品开发和量产导入。器件符合RoHS和无卤素要求，支持绿色环保生产。
UTT1H4R7MDD主要面向中高功率密度的DC-DC转换和AC-DC电源系统。典型应用包括服务器和数据中心的48V转12V中间母线转换器（IBC），其中高频高效特性可显著提升能效并节省空间。在电信设备中，用于高密度AC-DC整流模块，实现更高效率和更紧凑的设计。在工业自动化电源和嵌入式电源模块中，该器件可用于构建高效率的非隔离降压（Buck）或升降压（Buck-Boost）转换器。
此外，UTT1H4R7MDD也适用于太阳能微逆变器中的DC-AC逆变桥臂，其快速开关能力和低损耗有助于提高光伏系统的整体能量转换效率。在电动汽车车载充电机（OBC）和直流快充桩的辅助电源及主功率级中，该器件同样表现出色，支持更高频率运行以减小磁件尺寸，适应电动车对小型化和轻量化的严格要求。在高端消费类电子产品如游戏主机、AI计算设备的供电系统中，也可用于构建高效VRM（电压调节模块）。
UTT1H6R3MDD
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