时间：2025/12/27 8:25:32
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UTT1D5N10是一款由优特半导体（UTC, United Test and Assembly Center）推出的N沟道增强型功率MOSFET器件。该器件采用先进的高压工艺技术制造，具备优良的开关特性和导通电阻性能，广泛应用于电源管理、DC-DC转换器、电机驱动以及各类中等功率开关电路中。UTT1D5N10的设计旨在提供高效率、高可靠性的解决方案，适用于消费类电子产品、工业控制设备以及便携式电子设备中的功率控制模块。该MOSFET具有低栅极电荷和低输入电容特性，有助于减少驱动损耗并提升系统整体能效。其封装形式通常为TO-252（DPAK），具备良好的散热性能，能够在较宽的温度范围内稳定工作。作为一款100V耐压的N沟道MOSFET，UTT1D5N10在中高压应用中表现出色，尤其适合用于同步整流、电池管理系统和开关电源拓扑结构中。器件符合RoHS环保要求，并通过了多项可靠性测试，确保在严苛工作环境下的长期稳定性。
型号：UTT1D5N10
极性：N沟道
漏源电压（Vds）：100V
连续漏极电流（Id）：15A（Tc=25°C）
脉冲漏极电流（Idm）：60A
栅源电压（Vgs）：±20V
功耗（Pd）：125W（Tc=25°C）
导通电阻（Rds(on)）：8.5mΩ @ Vgs=10V, Id=7.5A
导通电阻（Rds(on)）：11mΩ @ Vgs=4.5V, Id=7.5A
阈值电压（Vth）：2.0V ~ 4.0V
输入电容（Ciss）：2300pF @ Vds=50V
输出电容（Coss）：580pF @ Vds=50V
反向恢复时间（trr）：38ns
工作结温范围（Tj）：-55°C ~ +150°C
封装类型：TO-252 (DPAK)
UTT1D5N10具备优异的电气性能和热稳定性，其核心优势之一是低导通电阻（Rds(on)），在Vgs=10V条件下可低至8.5mΩ，这显著降低了导通状态下的功率损耗，提升了系统效率。这对于高电流应用场景尤为重要，例如在大功率DC-DC变换器或电机驱动电路中，能够有效减少发热，延长系统寿命。同时，该器件在较低的栅极驱动电压（如4.5V）下仍能保持较低的Rds(on)，达到11mΩ，表明其对逻辑电平驱动信号具有良好的兼容性，适用于由微控制器直接驱动的应用场景。
该MOSFET采用了优化的晶圆制造工艺，具备较高的雪崩能量承受能力，增强了在瞬态过压情况下的鲁棒性。其栅极结构设计降低了输入电容（Ciss=2300pF）和输出电容（Coss=580pF），从而减少了开关过程中的充放电损耗，有助于实现高频开关操作，适用于高达数百kHz的开关电源设计。此外，较短的反向恢复时间（trr=38ns）意味着体二极管的恢复特性优良，在同步整流或桥式电路中可减少交叉导通风险和电磁干扰（EMI）。
UTT1D5N10的TO-252封装不仅便于自动化贴装，还提供了良好的热传导路径，通过PCB上的铜箔即可实现有效散热。该器件的工作结温范围宽达-55°C至+150°C，适应各种严苛环境下的运行需求。内置的热关断保护机制进一步提升了系统的安全性和可靠性。整体而言，UTT1D5N10在性能、可靠性和成本之间实现了良好平衡，是中高功率开关应用的理想选择。
UTT1D5N10广泛应用于多种电力电子系统中，尤其适合需要高效能、高可靠性的中等功率开关场合。常见应用包括开关模式电源（SMPS），如AC-DC适配器、DC-DC降压/升压转换器，其中该器件可作为主开关管或同步整流管使用，凭借其低Rds(on)和快速开关特性显著提升转换效率。在电池供电设备中，如电动工具、无人机和便携式储能设备，UTT1D5N10可用于电池管理系统（BMS）中的充放电控制回路，实现对电流流向的精确控制与保护。
在电机驱动领域，该MOSFET适用于直流有刷电机或步进电机的H桥驱动电路，能够承受频繁的启停和反转操作，且具备良好的动态响应能力。此外，它也常用于逆变器、LED恒流驱动电源、太阳能充电控制器等绿色能源相关产品中，支持高效率能量转换。工业控制设备中的继电器替代、固态开关、负载开关模块也是其典型应用场景。由于其具备较强的抗浪涌能力，UTT1D5N10还可用于电源输入端的热插拔保护电路或电子保险丝设计。总之，凡是需要100V耐压、15A级电流承载能力的N沟道MOSFET方案，UTT1D5N10均是一个高性能且经济实用的选择。
AP95T10GM-HF
SISS81DN-T1-GE3
FDS6680A
